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古河電気工業株式会社横浜研究所 | 論文
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- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレー
- 高温動作GaN MESFET
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- 波長可変光源の線幅特性の改善(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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- C-4-20 1.3μm高性能酸化膜狭窄(ACIS)レーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
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- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 光照射MOCVD法によるGaNInP MQW構造LEDの試作
- ハイパワーAlGaN/GaN HFET(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 大電流動作AlGaN/GaNパワーHFET(進展する窒化物半導体光・電子デバイスの現状,及び一般)
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- WDM用高出力CW-DFBレーザ : S,C,Lバンドにおける高出力CW-DFBレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
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