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古河電気工業株式会社横浜研究所半導体研究開発センター | 論文
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 導波路型受光素子の実装許容度の構造依存性
- 1.5μm帯AlGaInAs系MQWレ-ザにおける高微分利得特性とキャリア輸送過程
- EDFA励起用高出力レーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- 1.3μm帯InAsP系変調ドープレーザ
- C-4-13 狭出射ビームGaInAsPレーザとモニタ用ディテクタ集積素子の反射鏡最適化
- AllnAs選択酸化を用いたp型基板上の波長1.3μmレーザアレイ
- WDM用高出力CW-DFBレーザ : S,C,Lバンドにおける高出力CW-DFBレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎から応用,その他一般)
- 光アンプ励起用250mW1480nmLDモジュール(FOL1404QQシリーズ) (WDM関連技術小特集)
- 光加入者系用長波長帯導波路型受光素子の開発
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 低閾値1.3μm帯GaInNAsSbレーザ
- 1.3μm帯極低しきい値InAsP/InP変調ドープMQWレーザ
- ガスソ-スMBE法による長波長帯材料の結晶成長とその半導体レ-ザへの応用
- 光インターコネクション向け高信頼性1060nm帯面発光レーザにおける低電力損失特性(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- CI-1-4 高信頼・低消費電力1060nm帯面発光レーザ(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- C-3-11 低偏波依存利得SOA-PLCハイブリッド集積デバイス(光変調器波導路デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
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