スポンサーリンク
原研高崎 | 論文
- 200keV電子線照射によるSiCエピ膜中の耐放射線性に関する研究 : ドープ量依存性(シリコン関連材料の作製と評価)
- 電子線照射によるAl-doped 6H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度変化(シリコン関連材料の作製と評価)
- 30pZA-5 SiC半導体粒子検出器の研究・開発(半導体検出器)(素粒子実験)
- 30p-F-10 時間分解X線吸収分光法によるレーザーアブレーションSi粒子の空間分布測定
- 9-9 植物中におけるバナジウム分布及びバナジウムの水分吸収への影響 : 植物用ポジトロンカメラ(PETIS)を用いて(9.植物の無機栄養)
- ポジトロン・イメージング装置を用いた植物体内物質移行の計測 : 植物
- 9-57 PETIS法による植物試料中の水分動態のリアルタイム解析(9.植物の無機栄養)
- 炭素イオンビーム照射によるカーネーション培養系突然変異体誘発 : イオンシリーズの育成
- 24pRD-9 薄膜を透過した2原子分子構成イオンの電荷と初期核間距離との相関(24pRD 原子分子・放射線物理・融合(キャピラリー・クラスター),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))
- 核融合環境における電気設備(その15) 耐放射線性絶縁材料の設計, 絶縁特性
- 27pXM-8 サイクロトロンの仮想的な基準となる磁場分布(装置・リングサイクロトロン・核融合ビーム,新領域)
- 28aZR-9 サイクロトロン及びシンクロサイクロトロンの加速運動の解法の統一(加速器設計・理論)(新領域)
- P8-13 ダイズ根粒超着生変異株における根粒以外の形質の調査(ポスター紹介,8.共生,2008年度愛知大会)
- 6a-L-6 中性子分光によるテフロンの格子振動
- 28a-K-11 SiとSiCの陽電子消滅2次元角相関
- 25a-T-3 Si等における原子空孔の同時計数ドップラー広がり法による化学分析
- 30a-YC-10 SiCの陽電子消滅2次元角相関
- 6a-X-1 静電場輸送による低速陽電子ビームの発生
- 2p-YC-7 中性子、電子およびレーザー照射した石英の陽電子消滅II
- 29a-YG-10 中性子、電子およびレーザ照射した石英の陽電子消滅