スポンサーリンク
原研高崎 | 論文
- 24pZB-7 SiC半導体検出器の分光感度測定(半導体検出器,素粒子論)
- 炭化ケイ素基板上に成長させた1200℃ドライ酸化膜中の界面欠陥の電気特性とその熱アニーリング効果(ワイドギャップ半導体とその電子デバイス応用論文小特集)
- 25pXA-11 SiC半導体粒子検出器の研究・開発
- 高温イオン注入により導入した6H-SiC中のリン不純物の電気的活性化率と残留欠陥の関係 (「陽電子ビームの形成と理工学への応用」専門研究会報告書 平成12年度)
- 25a-L-7 MeV Heイオンのエネルギー損失に対する表面電子の動的応答の寄与
- 30a-H-5 斜入射イオン散乱による表面のReal Time評価
- 28p-H-7 単結晶表面ですれすれ散乱した数+keVH^+のエネルギー損失
- 29p-ZG-13 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 表面チャネリング
- 29p-ZG-12 斜入射散乱した高速イオンのエネルギー損失 : 鏡面反射
- 25p-G-4 高速イオンの斜入射散乱 : エネルギー損失の荷電状態依存
- 25p-G-3 Si単結晶表面における斜入射散乱イオンのエネルギー損失
- 4a-TB-12 AH結晶における高エネルギー重イオン損傷の深さ分布
- 11p-G-4 Al合金のイオンビーム・ミキシングII
- 30a-SA-10 Al合金のイオンビーム・ミキシング
- 3a-SH-11 2元多層膜のイオンビーム・ミキシング
- 2a-G-5 Nb単結晶中に注入されたNe原子のイオンビーム解析
- 電子ビームによるダイオキシン類及びVOC分解技術の開発(大気環境保全技術(2),大気・水保全技術)
- アラニン線量計の開発研究
- 原研におけるイオンビ-ム利用研究計画 (加速器を中心とした放射線利用の展望)
- 電子線照射によって生じるC変位によるAl-doped 4H-SiCエピ膜中のアクセプタ密度減少について(シリコン関連材料の作製と評価)