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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- C-2-3 MB-OFDM用広帯域直交ミキサの検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 静電気力顕微鏡(EFM)によるドーピング超格子構造の表面ポテンシャル観察
- 静電気力顕微鏡(EFM)によるドーピング超格子構造の表面ポテンシャル観察
- 0.1μmゲートInP HEMTによるミリ波アクティブ集積アンテナ発振回路(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)
- C-10-12 0.1μmゲートInP系HEMTによる111GHzアクティブ集積アンテナ(C-10.電子デバイス,エレクトロニクス2)
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- MBE選択成長法を適用したGaAs BDD量子節点デバイスの作製と評価(量子効果デバイス及び関連技術)
- C-10-6 カーボンナノチューブ分散紙の電磁波シールド特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Al_2O_3/AlGaN/GaNおよびAl_2O_3/n-GaN構造における界面特性(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
- Si基板上に形成したエピタキシャルグラフェンとその電子デバイス応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-7 利得媒質と電場増強効果を用いたテラヘルツ増幅器(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-6 グラフェンネットワークの電気伝導特性(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- C-10-5 カーボンナノチューブ分散紙の低周波雑音(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 窒化物半導体電子デバイスにおける接合制御(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- CNT分散紙の電気的特性(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- CNT分散紙の電気的特性(ナノ機能性2,機能ナノデバイス及び関連技術)
- A-1-25 複数位相クロックを用いたCMOSイメージセンサ用AD変換器(A-1. 回路とシステム,一般セッション)