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北海道大学 量子集積エレクトロニクス研究センター | 論文
- A-1-14 周期比較方式PLL発振周波数特性における雑音影響の評価(A-1.回路とシステム,一般セッション)
- C-12-29 マイクロ波帯シリコンオンチップアンテナ(C-12.集積回路C(アナログ),一般講演)
- C-2-35 CMOS低雑音増幅器付きモノリシック逆Fアンテナ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- マグネタイト/インジウム砒素ヘテロ構造の作製とスピン注入への応用(機能ナノデバイス及び関連技術)
- C-10-10 両極性電界効果トランジスタを用いた論理回路の解析(C-10.電子デバイス,一般セッション)
- カソードウェル構造を有する InP 系共鳴トンネルダイオード
- C-10-7 新構造InGaP/InGaAs/GaAsプラズモン共鳴型フォトミキサーによる室温テラヘルツ電磁波放射(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- GaNおよびAlGaN/GaN構造への絶縁ゲート形成と評価(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- C-2-21 オンチップアンテナの特性に即した低雑音増幅器の広帯域化の検討(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- A-1-16 擬似差動型LNAによるノイズのコモンモード化の検討(A-1.回路とシステム,一般講演)
- C-12-56 人工誘電体を用いたSiオンチップアンテナの設計(オンチップ・インターフェイス,C-12.集積回路,一般セッション)
- C-12-27 人工誘電体シールドの特性評価(C-12.集積回路,一般セッション)
- InAs系HEMTにおけるスピン軌道相互作用の垂直電界依存性
- InAs系HEMTにおけるスピン軌道相互作用の垂直電界依存性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- InAs系HEMTにおけるスピン軌道相互作用の垂直電界依存性(スピン制御と機能,量子効果デバイス及び関連技術)
- C-10-7 プラズモン共鳴型フォトミキサーのテラヘルツ帯周波数逓倍器としての可能性(C-10.電子デバイス,一般講演)
- ヘキサゴナルBDD単電子論理回路のためのGaAs単電子節点デバイスの検討(量子ナノデバイスと回路応用)
- ナノメートルショットキーゲートAlGaN/GaN HFETにおける異常ゲートリーク電流とゲート制御性に関する検討(半導体表面・界面制御と電子デバイスの信頼性, 信頼性一般)
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