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光共研 | 論文
- 液状燐被履直接合成引上げ法によるInP結晶成長
- InドープGaAs結晶のセル成長 : 融液成長II
- 3p-RJ-2 Al-GaAs(110)界面の共鳴光電子放出のAl被覆度依存性
- 12p-Y-7 Al-GaAs(110)におけるAl2p内殻励起子と共鳴電子放出
- 30p-P-8 半導体の内殻励起領域における光電子分光
- 7a-B-12 パルス電場変調によるサイクロトロン共鳴
- 3a-TC-16 GaAsの共鳴光電子放出
- 27a-SB-10 光電子分光法によるa-Si_xC_ : Hの価電子帯の検討 (III)
- 30p-P-7 NiySi(y=0, 0.5, 1, 1.5, 2, 2.5, 3)からの共鳴型光電子放出 II
- 30a-B-11 光電子分光法によるa-Si_xC_:Hの価電子帯の検討 (II)
- 31p-F-4 価電子状態と内殻励起
- 30a-F-13 a-Si_xC_:Hの光電子分光法による検討
- 2p-NM-4 Ni/Si界面電子構造-NiSiyの光電子分光
- 3a-NGH-23 NiSi_x(x=0,2/5,1/2,2/3,1/1,2/1,∞)からの共鳴型光電子放出
- 31a-J-5 Ni/Si界面のシンクロトロン放射による光電子分光
- 5p-DR-20 清浄Si-Al界面における結合状態(I)
- 1p-BE-12 AESによる清浄AL表面の吸着現象の検討
- 3a-E-12 MeVイオン散乱によるGaAs(001)表面構造
- a-Si:H の欠陥と電子格子相互作用
- 28p-QA-14 金属錯体の超構造II : 混晶系の光物性
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