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住友電気工業(株)伝送デバイス研究所 | 論文
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- GaInAsP/InPレーザの劣化解析技術(光部品の実装・信頼性,一般)
- C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 情報通信 埋め込みトンネル接合を用いた長波長GaInNAs VCSEL
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
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- 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- 簡易WDMシステムの開発 : 小型EDFA/光BPF内蔵光受信機の開発
- 簡易WDMシステムの開発 : 小型EDFA/光BPF内蔵光受信機の開発
- 端面コーティング改善によるAlGaInAsレーザの高信頼性化(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 端面コーティング改善によるAlGaInAsレーザの高信頼性化(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 端面コーティング改善によるAlGaInAsレーザの高信頼性化(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般(ECOC報告))
- 波長フィルタ機能を有するチューナブル反射器を用いた高出力単一ストライプ型フルバンドチューナブルレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
- B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
- GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 端面発光型AlGaInAsレーザの端面応力が信頼性に及ぼす影響(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-62 低コスト10Gbit/s温調EML-TOSAの開発(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
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