スポンサーリンク
住友電工(株)伝送デバイス研究所 | 論文
- C-4-14 GaInNAs系EA-DFBレーザの25-100℃無温調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般講演)
- B-8-34 40Gbps EMLを用いた1.3μm帯LAN-WDMの伝送方式の検討(B-8.通信方式,一般セッション)
- GaAs回折格子を有するGaInNAs系DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-4-5 GaInNAs-SOAをモノリシック集積した半導体光符号/相関器(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- 25aC-9 GaInNAs/GaAsタイプ-II量子井戸構造における発光特性
- 30p-ZE-15 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性(II)
- 27a-YN-13 GaInNAs/GaAs量子井戸の光学特性
- フォトニックネットワーク用半導体集積光ラベル符号化デバイス
- 分布帰還型半導体レーザの回折格子へのUVナノインプリント技術の応用 (特集 インプリントリソグラフィのフォトニクスへの応用)
- C-4-16 ナノインプリント技術を用いたDFBレーザの作製(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 19aYC-6 GaAsN/GaAs単一量子井戸構造の光学特性と正孔サブバンド構造(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 27aZC-4 GaInNAs/GaAs単一量子井戸構造の光学特性に対するSbの界面添加効果(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 14pYC-5 GaInNAs/GaAs 単一量子井戸構造の光学特性に対する窒素混晶化効果(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
- 20pTH-13 GaInNAs/GaAs 量子井戸構造の発光ダイナミクスに対する局在効果
- オプトエレクトロニクス・光デバイス
- C-4-31 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザの試作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 中赤外垂直遷移型DFB量子カスケードレーザ(QCL)の試作(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
スポンサーリンク