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住友電工(株)伝送デバイス研究所 | 論文

• ナノインプリント技術を応用した光通信用レーザの作製
• C-3-132 1.25Gbps, 80km 伝送可能な同軸型 FGL モジュール
• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• [招待論文]OMVPE成長1.3μm帯GaInNAs-LDおよびSOA(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
• BCB埋め込み型リッジ導波路構造を有する1.3μm波長帯AlGaInAs/InP DFBレーザ(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般,材料デバイスサマーミーティング)
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 1.55μm帯CWDM用無温調ファイバブラッググレーティング外部共振型半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• 無温調同軸型ファイバブラッググレーティング外部共振器半導体レーザ
• GaInNAs半導体光増幅器をモノリシック集積した半導体光符号化デバイス(フォトニックネットワーク用デバイス技術,及びその応用,一般)
• C-4-28 トンネル接合を用いた長波長GaInNAs-VCSELの10Gb/s動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)
• 25-100℃、無温調GaInNAs系EA/DFBレーザ(光・電子デバイス実装,デバイス技術,及び一般)

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