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京都大学 工学研究科電子工学専攻 | 論文
- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈 (電子デバイス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価 : SNOMによるEfficiency droop機構の解明(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 電子線励起したAlGaN/AlN量子井戸からの100mW深紫外発光(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 非極性InGaN量子井戸における偏光特性の既報告実験データの統一的解釈(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価--SNOMによるEfficiency droop機構の解明 (レーザ・量子エレクトロニクス)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価--SNOMによるEfficiency droop機構の解明 (電子部品・材料)
- 空間時間分解PLによるInGaN/GaN単一量子井戸のキャリア拡散ダイナミクスの評価--SNOMによるEfficiency droop機構の解明 (電子デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaNナノ構造の発光機構解明と高効率化へのアプローチ (特集 ナノフォトニクス)
- 半極性{11-22}InGaN量子井戸構造の近接場発光測定(窒化物及び混晶半導体デバイス)
- 近接場光学顕微鏡によるInGaN/GaN単一量子井戸構造の発光強度飽和マッピング(窒化物及び混晶半導体デバイス)
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- 半極性面上InGaN系緑色LDの可能性 (特集 注目の無極性面・半極性面発光デバイス)