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京都大学工学研究科 | 論文
- Nbの人工層状ピンニングセンターを有するNbTi超電導多層圧延板の製造
- NbTi基ナノスケール多層膜の超伝導特性
- Nbの人工層状ピンニングセンターを有するNbTi超電導多層板
- レビテーション法によるコバルト液滴の脱酸反応
- GdBCO線材電流輸送特性の温度・磁界・磁界印加角度・機械的ひずみ依存性を考慮した高磁界マグネットコイルの電磁界-熱-構造連成解析
- 長尺GdBCO線材の臨界電流特性から見た高磁界マグネットの可能性
- 高強度コンクリートを用いた接合面におけるせん断力伝達性能の評価
- I-026 デジタルHPIV法専用計算機システム(I.画像認識・メディア理解)
- NC 工作機械におけるボールねじの熱変位補正
- J0401-5-6 水和潤滑を考慮した再生軟骨評価法(生体材料およびその表面改質材(5))
- 4H-SiC{0001}近傍面へのホモエピタキシャル成長(半導体エレクトロニクス)
- 短チャネル4H-SiC MOSFETの作製と短チャネル効果の理論的解析(シリコン関連材料の作製と評価)
- 新しいチャネル構造を持つ4H-SiC MOSFET (SC-MOSFET)の作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- SiCを用いた高耐圧RESURF MOSFETの設計と作製(半導体Si及び関連材料・評価)
- プラズマ酸化法を用いた高品質シリコン酸化膜の形成
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- リモートプラズマ酸化法を用いた極薄シリコン酸化膜の低温形成およびMOSFETゲート絶縁膜への応用
- SiCを用いたRESURF MOSFETの設計と作製
- パワーデバイスに向けたSiC超接合構造の作製と特性解析