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三重大学工学部電気電子工学科 | 論文
- Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire
- Effects of absorption coefficients and intermediate-band filling in InAs/GaAs quantum dot solar cells
- 板書したキーワードの補足説明を表示するe-Learning支援システム( 遠隔教育/一般)
- 遠隔授業映像撮影のためのカメラ映像と板書画像を併用したカメラ視野の決定法(複合現実感とインタラクション)
- バクテリア型進化的計算における分割幅導出法(≤特集≥進化的計算)
- 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
- 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
- 減圧MOVPE法によるGaN選択成長の圧力効果
- 位置と力の2階微分量に基づくロボットの位置と力のハイブリッド制御
- 驚異の新素材, カーボンナノチューブ
- カーボンナノチューブの電界放出電子源への応用
- 移動通信環境下におけるOFDMシステム用伝送路特性推定方式の検討(衛星通信・放送技術及び一般)
- 接触した手書き漢字に対する個別文字の分離システム
- Routing Tree を用いた煙濃度時系列データからの特徴抽出に関する一考察
- 車群間同期を考慮した車々間通信のための自律分散同期方式(モバイル環境におけるPerson to person高信頼性情報流通技術)(情報通信サブソサイエティ合同研究会)
- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- エピタキシャルAlN膜のラマン散乱分光による評価(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- a面Sapphire上周期溝加工c面AlNを基板に用いた減圧HVPE法による厚膜AlN成長(HVPE,その他の薄膜成長と評価,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
- MOVPE法GaN成長におけるボイド形成による基板の反り制御(MOVPE,結晶成長,評価技術及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
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