Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
MOVPE法によるr面サファイア上へのa面GaN成長(結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))
-
Mobility enhancement of 2DEG in MOVPE-grown AlGaN/AlN/GaN HEMT structure using vicinal (0001) sapphire
-
Effects of absorption coefficients and intermediate-band filling in InAs/GaAs quantum dot solar cells
スポンサーリンク