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三菱電機株式会社 高周波光素子事業統括部 | 論文
- C-2-19 2.9GHz 帯 SiGe-MMIC オンチップ VCO
- マイクロ波時間波形測定によるAlGaAsHBTの最大動作領域解析
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- F級および逆F級増幅器の解析 : 効率の利得圧縮、負荷抵抗、オン抵抗依存性
- Cat-CVD法による表面パッシベーション膜を用いた高信頼度GaN HEMT(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
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- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
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- AlInAs/InGaAs HEMTの信頼性
- Cat-CVD法によるAlGaN/GaN HEMT表面のSiN膜パッシベーション(電子デバイスの信頼性と半導体表面・界面制御・評価)
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- C-10-7 5GHz帯CMOSフロントエンドMMIC
- GSM用3.2V動作AlGaAs/GaAs HBT-MMIC電力増幅器
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- ALC制御信号によるリップルが重畳したときの高出力増幅器の出力スペクトラムの計算
- TABテープを用いたUHF帯マルチチップ高出力MMIC増幅器
- 1.9GHz帯, 2V動作GaAs T/R-MMIC
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