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三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 | 論文
- 0.98μm帯リッジ型窓構造高出力半導体レーザ
- Si注入による無秩序化を利用した窓構造を有する0.98μm-LDの信頼性
- ファイバアンプ励起用0.98μm高出力半導体レ-ザ (特集 光・マイクロ波デバイス)
- レーザディスプレイ用赤色半導体レーザ
- スペースシャトル内封管InP気相エピタキシャル成長における安全性保証試験
- InP 気相エピタキシャル成長における重力効果(無重力下における結晶成長)
- GSM/EDGEデユアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- GSM/EDGEデュアルモード,900/1800/1900MHz帯HBT-MMIC電力増幅器モジュール
- C-10-1 ナイキスト判別法を用いたマルチセル合成FETの安定性解析
- C-10-17 5GHz帯HBT-MMIC低雑音ドライバとスイッチの試作
- C-10-16 マルチフィンガーHBTの熱均一動作のためのバラスト抵抗設計
- C-2-21 F級および逆F級高効率増幅器における入力高調波負荷の影響
- GSM方式携帯電話用HBT-MMICパワーアンプの開発
- 900nm帯高出力半導体レーザの開発
- 高出力高信頼レーザーダイオードパッケージ
- C-4-31 10G-EPON ONU用光モジュールの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-20 40Gbps DQPSK光通信用表面入射型ツインPD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 10G-EPON用L帯高出力EA変調器集積DFB-LD(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 シリアル40Gbpsイーサネット用1.3μm EML TOSA(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-10-5 HEMTを用いたPDC用0.1cc送信電力増幅器モジュール