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三菱電機株式会社 高周波光デバイス製作所 | 論文
- マイクロプロジェクター用638nm単一横モードLD(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- マイクロ波発生用高光電流InGaAs pin PD(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術、受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
- C-4-16 10Gbps-80km光トランシーバ用高光出力・低チャープEAM-LD(C-4. レーザ・量子エレクトロニクス, エレクトロニクス1)
- C-2-12 変成回路を備えたSeries-Shunt/Shunt併用形広帯域・高耐電力GaN T/R スイッチ(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- Ku帯WSi/Au T型埋め込みゲートGaAs高出力HFET
- DVD記録用660nm帯赤色LDの高出力化
- 記録型DVD用赤色LDの高出力化
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- 選択ウエットエッチングによるGaAs/AlGaAs HFETの高均一化と高性能化
- 980nmポンプレーザの波長変化抑制 : メトロネットワーク用980nmポンプレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- 10Gbps-80km伝送用高出力変調器付きLD (特集 光・高周波デバイス)
- 10Gbps-80km伝送用高光出力・低チャープEAM-LD(量子光学, 非線形光学, 超高速現象, レーザ基礎, 及び一般)
- 20Gbps伝送用変調器集積型DFB-LD
- 直並列・並列併用形S帯100W GaN FETスイッチ(マイクロ波一般/ミリ波技術,マイクロ波シミュレータ,ミリ波技術,一般)
- C-2-5 直並列/並列形保護用高耐電力スイッチの解析(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般講演)
- Er添加光ファイバアンプ励起用980nm半導体レーザ (特集 化合物半導体)
- Erドープファイバアンプ励起用0.98μm高出力半導体レーザ (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- C-4-16 ファイバアンプ(PDFA)励起用1020nm高出力半導体レーザ
- ファイバアンプ(PDFA)励起用1020nm高出力半導体レーザ
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