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三菱電機株式会社高周波光デバイス製作所 | 論文
- C-10-2 2.5/3.5GHz帯InGaP HBT電力増幅器モジュール(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-1 GaAs HBT RF検波回路に関する基本検討(2)(C-10.電子デバイス,一般講演)
- C-10-8 低レファレンス電圧動作HBT電力増幅器の利得・位相特性の解析(C-10.電子デバイス,一般講演)
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器
- GaAs-HBT AC結合スタック型ベース・コレクタダイオードスイッチを用いた0/20dB減衰器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- CDMA端末用2.4V低レファレンス電圧動作InGaP-HBT MMIC電力増幅器(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)
- V帯ドレイン注入 : レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- ミリ波帯マルチメディア通信用ダウンコンバータチップセット (特集 宇宙から海底まで IT社会を支える光・高周波デバイス)
- V帯ドレイン注入/レジスティブデュアルモードモノリシックミクサ
- レジスティブミクサの動作解析
- C-2-12 レジスティブミクサの動作解析
- 副共振器を用いたKa帯高出力モノリシックHEMT電圧制御発振器
- モノリシック発振器における位相雑音のドレイン電圧依存性に関する一考察
- Dual Gate HEMTを用いたKa帯高利得・低雑音可変利得MMIC増幅器
- V帯モノリシックドレインミクサ
- AlGaAs/InGaAs pseudomorphic HEMTを用いた60GHz帯MMIC直接発振器
- ミリ波帯低雑音PHEMTの耐γ線特性
- 980nmポンプレーザの波長変化抑制 : メトロネットワーク用980nmポンプレーザ(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザー基礎,及び一般)
- デュアルオフセット構造を有する135GHzf_SOI MOSFETの高周波アナログ混載技術