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三菱電機(株)高周波光素子事業統括部 | 論文
- 利得ばらつきを抑えたAPAA用自己バイアス低雑音MMIC増幅器
- C-2-18 自己バイアスMMIC増幅器用プロセスばらつき補償ゲートバイアス回路の検討
- C-4-14 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-34 温度補償バイアス回路内蔵X帯MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- 高効率ファイバ結合型半導体レーザー
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガーFETの安定化(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス)
- C-10-11 抵抗装荷型ゲートフィード構造によるマルチフィンガー FET の安定化
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高出力625nmAlGaInP半導体レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 環境安全に配慮した電子材料開発への取り組み
- C-4-8 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-25 C帯宇宙用オンチップ高調波処理回路内臓100W GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-21 温度補償バイアス回路内臓X帯MMIC増幅器の試作結果(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
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