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三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 | 論文
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器
- 10G-EPON用APDの開発(アクティブデバイスと集積化技術、一般「材料デバイスサマーミーティング」)
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- レーザーディスプレイ技術ロードマップ : ディスプレイ用レーザーのロードマップ検討
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(マイクロ波フォトニクス技術,一般)
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- モニタPD集積43Gbps SOA-MZI型波長変換器のダイナミックレンジ拡大動作(超高速伝送・変復調・分散補償技術,超高速光信号処理技術,広帯域光増幅・WDM技術,受光デバイス,高光出力伝送技術,一般,(ECOC報告))
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- 10G-EPON用APDの開発
- C-2-29 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス),一般セッション)
- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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- RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ
- 並列共振型入力2倍波処理回路を用いたX帯高効率GaN高出力増幅器(一般)
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