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三菱電機(株)高周波光デバイス製作所 | 論文
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 (マイクロ波・ミリ波フォトニクス)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 (エレクトロニクスシミュレーション)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 (光エレクトロニクス)
- 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器 (マイクロ波)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
- 1.3μm帯25/40Gb/s EA変調器集積DFB-LD(一般,フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶・ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般)
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- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 76GHz帯車載レーダー用低雑音高信頼性InP/GaAsSb DHBT(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)
- 低消費電流1.3μm帯AlGaInAs系25.8Gbps直接変調埋込型DFBレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 10Gbps用低雑音AlInAs アバランシェ・フォトダイオード (特集 光・高周波デバイス)
- SOA-MZI型波長変換器を用いた縦続接続可能な全光XORゲート(フォトニックネットワーク関連技術,一般)
- C-2-15 20W級C-Ku帯広帯域高出力GaN HEMT MMIC増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- 2.5Gbps変調器集積型半導体レ-ザ (特集"半導体")
- C-4-8 43Gbps RZ-DQPSK送信器用MZ変調器集積波長可変DFBレーザアレイの開発(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-18 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-4 フィードバック制御によるダイナミックレンジ拡大43Gbps波長変換器(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-2-25 C帯宇宙用オンチップ高調波処理回路内臓100W GaN増幅器(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- C-2-21 温度補償バイアス回路内臓X帯MMIC増幅器の試作結果(C-2.マイクロ波A(マイクロ波・ミリ波能動デバイス,一般セッション)
- CI-1-6 フォトダイオードの長期信頼性(CI-1.光能動デバイス・装置を支える信頼性・安全性技術,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
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