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三菱マテリアル株式会社中央研究所 | 論文
- 酸素イオン注入 Si 層の結晶性回復と向上 - SIMOX の結晶性向上 -
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- アルミニウム/窒化アルミニウム界面の冷熱サイクル試験による破壊機構
- SOIウェーハの表面欠陥評価とそのデバイス特性への影響
- Si ウエハー表面金属の洗浄液中での挙動
- 27aA1 二重ルツボを用いたCMCZ法によるSi単結晶成長(バルク結晶成長シンポジウムI)(バルク結晶成長シンポジウム : バルク単結晶の新しい融液成長技術)
- 有限要素法によるパワーモジュール用基板の熱サイクル特性解析
- Siエピタキシャル成長におけるCOPピットの挙動(バルク成長分科会特集 : シリコン結晶の最近の話題から)