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ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 論文
- 「ガラパゴス化」と国際規格
- ロジックプロセス互換型SESOメモリセルによる低ソフトエラー(0.1FIT/Mb)、高速動作(100MHz)、長リテンション(100ms)の実現(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
- 先端デバイスの故障メカニズムと寿命分布(「信頼性・保全性・安全性の事例:材料・部品・デバイス編」〜信頼性ハンドブック出版から10年を経て〜)
- 54倍速AACエンコードを実現するヘテロジニアスマルチコアアーキテクチャの検討(マルチコア,プロセッサ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 54倍速AACエンコードを実現するヘテロジニアスマルチコアアーキテクチャの検討(マルチコア,プロセッサ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 依頼講演 負バイアス回路で動作マージンを改善したクロスポイント8T-SRAM (集積回路)
- レート保証型パケットバッファリング回路の低消費電力化技術(低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用)
- RFトランシーバのマルチモード,マルチバンド化(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- 招待講演 回路およびデバイス工夫による極低電圧動作SRAMの実現--非対称MOSFETおよびフォワードボディーバイアス技術を用いた0.5V 100MHz PD-SOI SRAMの開発 (集積回路)
- 再構成プロセッサFE-GA上へのFFTのマッピング(アーキテクチャII, デザインガイア-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- 再構成プロセッサFE-GAのオーディオ処理への応用(アーキテクチャII, デザインガイア-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- 構成情報の階層記憶制御による再構成型プロセッサFE-GAの性能/面積比の向上(アーキテクチャII, デザインガイア-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- ディジタルメディア向け再構成型プロセッサFE-GAの概要(アーキテクチャII, デザインガイア-VLSI設計の新しい大地を考える研究会-)
- ディープサブミクロン世代におけるSRAMのロバスト設計(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
- DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ,VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- DVS環境下での小面積・低電圧動作8T SRAMの設計(メモリ, VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- ビット線電力を74%削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-portSRAMの設計(アナログ・デジアナ・センサ,通信用LSI)
- ビット線の電力を削減する実時間動画像処理応用2-port SRAM(新メモリ技術とシステムLSI)
- A-3-11 ビット線電力を8割削減する動画像処理応用10T非プリチャージ2-port SRAM(A-3.VLSI設計技術,一般講演)
- C-12-42 ビット線充放電電力を53%削減する動画像処理応用2-port SRAM(C-12.集積回路D(メモリ),一般講演)
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