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フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構 | 論文
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- C-3-13 複数構造領域によるSi導波路を用いた干渉器型波長フィルタの特性安定化(導波路デバイス(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-6 1.3-μm帯AlGaInAs MQW-SOA小型モジュールの低消費電力動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 位相調整機能付SMZ超高速光スイッチ
- ポリマ導波路内蔵光電気集積プラットフォームとそのモジュール応用(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- ポリマ導波路内蔵光電気集積プラットフォームとそのモジュール応用(量子効果デバイス(LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CI-3-5 光デバイスファウンドリーの現状と展望(CI-3.半導体製造技術の現状と今後の展望,依頼シンポジウム,ソサイエティ企画)
- LQE2000-15 InGaAs/GaAs 自己形成量子ドットレーザーの利得測定
- 光インターコネクションに向けたシリコンフォトニクスデバイス集積 (特集 進化するシリコンフォトニクス)
- CI-1-3 光配線応用に向けた光電子融合システム(CI-1.ナノフォトニクス技術のアクションアイテムズ,依頼シンポジウム,シンポジウムセッション)
- C-4-15 波長1.3μm帯AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの40Gbps直接変調による5km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-59 低損失多結晶Si光導波路と光変調器への応用(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-63 光電子集積回路に向けたGe受光器用TIA回路の検討(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 低駆動電流40Gbps直接変調動作に向けたAlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-47 Projection MOS構造を有するSi光変調器の解析(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-34 光電子集積回路に向けたGe受光器用TIA回路の検討II(光送受信モジュール・デバイス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
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