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フォトニクス・エレクトロニクス融合システム基盤技術開発研究機構 | 論文
- C-3-65 シリコン導波路を利用した光合分波器集積デバイス(C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- MOCVD法によるGaAs基板上InAs量子ドットレーザの1.3μm帯室温連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- C-3-118 対称マッハツェンダ型全光スイッチの位相バイアス制御方式
- 位相調整機能付SMZ超高速光スイッチ
- 量子ドット光増幅器と光スイッチ
- SC-14-1 光インタコネクション技術の動向と展望(SC-14.光デバイス実装技術の展望)
- C-3-52 光I/O内蔵システムLSIモジュール(光モジュール)(C-3.光エレクトロニクス)
- 光I/O内蔵システムLSIモジュール(半導体レーザ及び光パッシブコンポネント, 及び一般)
- C-3-127 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (5) 基板実装型コネクタの開発
- C-3-126 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (4) 光素子実装
- C-3-125 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (3) 光結合系の設計
- C-3-124 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (2) 低コスト、超小型 10Gbps 4ch 光 I/O (PETIT)
- C-3-123 光 I/O 内蔵システム LSI モジュール : (1) モジュール構成と設計指針
- 1.3ミクロン帯pドープ量子ドットレーザ : 20〜90℃での温度安定な低駆動電流10Gb/s直接変調動作(量子効果デバイス(光信号処理,LD,光増幅,変調等)と集積化技術,一般)
- CS-5-3 半導体レーザの40Gbps超高速直接変調(CS-5.新たな転機を迎えた通信用送受信デバイスの動向,シンポジウムセッション)
- C-4-4 10G-EPONへ向けた波長1.27μm帯量子ドットDFBレーザ(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-56 スローライト型Si変調器の1nmの波長範囲での1V_10Gb/s動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-55 側面格子型Si光変調器の10GHz変調動作(光スイッチ・光変調器(1),C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 高密度化による波長1.3μm帯InAs/GaAs量子ドットレーザの特性向上(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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