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フェムト秒テクノロジー研究機構 | 論文
- 30a-SK-6 偏極陽電子源の開発VIII : Compton散乱を用いた偏極陽電子源の開発
- 26aE04 ナノジェットプローブ法による位置制御InAs量子ドットの作製(ナノエピシンポジウム,第34回結晶成長国内会議)
- SC-1-3 2 次元フォトニック結晶スラブ導波路の超高速光スイッチ (PC-SMZ) 応用
- 量子ドット, フォトニック結晶融合構造による光非線形の増強
- 量子ドット, フォトニック結合融合構造による光非線形の増強
- STMを用いた精密位置制御量子ドット
- In situビームプロセスによるInAs量子ドットの位置制御と光学特性
- レーザーコンプトンによるフェムト秒X線発生
- C-3-116 超短パルス伝送用 FBG 型可変分散補償デバイス
- レーザーコンプトン散乱を用いた小型フェムト秒高輝度X線発生装置
- 28pSM-6 フォトカソードRFガンによる高輝度電子線発生
- 28pSM-5 レーザートムソン散乱による短パルスX線の発生
- 29a-PS-149 レーザーフォトカソードRF電子銃の製作と性能試験
- 全固体ピコ秒光源の開発
- 20p-G-4 ポジトロニウムのレーザー冷却IV : 熱脱離低速ポジトロニウムの測定
- 20p-G-3 ポジトロニウムのレーザー冷却III : 陽電子のトラッピング
- 20p-G-2 ポジトロニウムのレーザー冷却II : 水素原子の1s→2s励起とポジトロニウムの1s→2p励起
- 20p-G-1 ポジトロニウムのレーザー冷却I : 高密度ポジトロニウム生成と短時間レーザー冷却
- OPOを用いた小型LIDAR装置の開発
- 極短パルスX線の発生と利用