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ソニー(株) | 論文
- 高性能45nmノードCMOSFET技術とストレス印加による移動度向上技術のスケーラビリティ(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- 45nm世代のLSTP SRAMへのNi FUIS電極適用によるしきい値ばらつき抑制効果
- ユビキタス時代を支える二次電池
- オーディオと高分子
- 髭を剃った鰹
- 高性能小型二次電池
- リチウムイオン二次電池(かくれた主役)
- 「次世代自動車エンジン開発とエネルギー」
- リチウムイオン二次電池の応用
- 映画の定量的評価・解釈のための標準セマンティックスコア法 : ヒューマン・コンテンツ・インタフェースデザインに向けて(5)
- セマンティックスコア法を用いた映画の構造表現 : ヒューマン・コンテンツ・インタフェースデザインに向けて(3)
- セマンティックスコア法を用いた映画の構造表現 : ヒューマン・コンテンツ・インターフェースデザインに向けて(3)
- ダマシンゲートプロセスを用いた Top-Cut デュアルストレスライナーを有する高性能 Metal/High-k Gate MOSFETs
- ダマシンゲートプロセスを用いたtop-cutデュアルストレスライナーを有する高性能Metal/High-k Gate MOSFET(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- [100]及び[110]基板上の埋め込みSiGe膜による歪みSiチャンネルを有する Metal/High-k ゲート電極MOSFETs
- (100)及び(110)基板上のeSiGeによる歪みSiチャネルを有するMetal/High-k Gate Stack MOSFETのデバイス特性(IEDM(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発(VLSI回路,デバイス技術(高速,低電圧,低消費電力))
- バルクCMOS向け低閾値電圧・高移動度デュアルメタルゲートトランジスタの開発
- チャネル方向と構造起因歪みの組み合わせを用いた45nm世代のための高移動度CMOSFET(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))