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(株)東芝 研究開発センター 記憶材料・デバイスラボラトリ | 論文
- 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性(記録システムおよび一般)
- FeCoナノコンタクトを用いたCPPスピンバルブの磁気抵抗効果(垂直磁気記録及び一般)
- CCP-NOLを用いたCPP-GMRスピンバルブ膜(「磁性薄膜作製技術」)
- Fe_Co_-NOLの磁気構造解析と90°結合
- スペキュラスピンバルブにおけるCoFe-NOLの交換結合磁界
- IrMn交換結合特性の膜厚依存性と結晶構造の関係
- PtMnスピンバルブ膜の規則化挙動と膜厚依存性
- IrMn/CoFeスピンバルブGMRのピン磁化耐熱性
- IrMn/CoFeスピンバルブGMRの耐熱性
- 1平方インチあたり2テラビット以上の記録密度でのCPP-MR素子の要求特性(記録システム及び一般)
- 磁極分離構造記録ヘッドの狭トラック加工性と記録特性
- 31p-PSB-41 エピタキシャルFe膜の構造と磁気特性
- 記録密度5Tbpsiに向けた再生ヘッドデザイン(媒体,一般)
- 高分解能・高SNを両立する再生ヘッドの将来技術
- 3p-YD-1 IrMn反強磁性膜の交換結合特性(3pYD 磁性(薄膜,人工格子),磁性)