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(株)東芝研究開発センター ULSI研究所 | 論文
- CMOSイメージセンサーにおける低電圧駆動埋め込みPDの解析
- a-Si TFTを用いた9.5インチカラー液晶ディスプレイ( 平面型ディスプレイ技術)
- 1)アクティブマトリックス型液晶ディスプレイにおけるアドレスライン抵抗の影響(画像表示研究会(第106回))
- アクティブマトリックス形液晶ディスプレイにおけるアドレスライン抵抗の影響
- 1)9.5インチ液晶カラーディスプレイ(テレビジョン電子装置研究会(第139回))
- 9.5インチ液晶カラーディスプレイ
- CMOSイメージセンサーにおける埋め込みPD構造の開発 : 埋め込みPD技術とCMOSセンサープロセスによるPDリーク電流の低減
- 3)2/3インチ200万画素スタックCCD([情報入力研究会コンシューマエレクトロニクス研究会]合同)
- 2/3インチ200万画素スタックCCD : 情報入力,コンシューマエレクトロニクス
- HDTV用200万画素積層構造CCDイメージセンサ : 方式・回路 : 電子装置
- 2-4 アモルファスシリコン膜積層型200万画素CCDイメージセンサ
- 高感度CMOSイメージセンサ(アナログ・デジアナ・センサ, 通信用LSI)
- 高感度CMOSイメージセンサ
- 電荷により時系列演算を行うスマートイメージセンサー
- 18-1 低残像積層型CCDセンサー
- スタックCCDセンサの固定パターン雑音の低減 : 情報入力,情報ディスプレイ,コンシューマエレクトロニクス
- 2)a-Siホトダイオードの過渡光電流特性とundoped a-Si : H膜特性との関係(情報入力研究会)
- a-Siホトダイオードの過度光電流特性とundoped a-Si : H膜特性との関係
- N doped a-Si:H層による積層型固体撮像素子の高輝度残像特性の改善 : 情報入力,情報ディスプレイ,コンシューマエレクトロニクス
- 3-2 低閾電圧緑色発光薄膜直流エレクトロルミネッセンス素子(3.ELディスプレイ)(JAPAN DISPLAY'83記念特集)