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(株)富士通研究所:富士通(株):(財)光産業技術振興協会 | 論文
- カスケード接続リング共振器を用いたスローライトSi変調器(光パッシブコンポネント(フィルタ,コネクタ,MEMS),シリコンフォトニクス,光ファイバ,一般)
- C-3-53 光源・光変調器・受光器を単一シリコン基板上に集積した光電子融合システム(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-21 チップ間光インターコネクトへ向けたSi基板上高密度集積光源(光インターコネクション,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-17 AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの高速直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
- 波長1.27μm帯高密度量子ドットDFBレーザの研究開発(光部品・電子デバイス実装技術,一般)
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- C-4-3 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザのアンクールド低駆動電流25.8Gbps直接変調動作(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- チップ間光インターコネクションに向けた多チャンネル高密度ハイブリッド集積光源(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 高温(220℃)における1300nm帯量子ドットレーザの連続発振(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- 温調フリー光送信器の実現に向けたシリコン細線外部共振器レーザ(半導体レーザ関連技術,及び一般)
- トライデント型光スポットサイズ変換器を用いたSi基板上集積光源(量子光学,非線形光学,超高速現象,レーザ基礎,及び一般)
- C-3-66 単一シリコン基板上にレーザ・光分岐器・光変調器・受光器を集積したシリコン光インターポーザの12.5Gbps動作実証(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- C-4-11 波長1.3μm帯AlGaInAs系DRレーザの50Gbps直接変調と10km伝送(C-4.レーザ・量子エレクトロニクス,一般セッション)
- C-3-61 シリコンフォトニクス集積回路用多チャンネル光源(シリコンフォトニクス,C-3.光エレクトロニクス,一般セッション)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- 近赤外光デバイスに向けた径方向InP/InAsP量子井戸ナノワイヤの形成(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
- AlGaInAs系高抵抗埋め込み型DRレーザの超高速直接変調(半導体レーザ関連技術,及び一般)
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