斎藤 忍 | ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部
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概要
ルネサスエレクトロニクス 先行研究統括部 | 論文
- InGaZnOのチャネルの酸素制御とGate/Drain Offset構造によるBEOLトランジスタの高信頼化(配線・実装技術と関連材料技術)
- InGaZnOチャネルの酸素制御と Gate/Drain Offset 構造によるBEOLトランジスタの高信頼化
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス(配線・実装技術と関連材料技術)
- パワーデバイス混載ミックスシグナルLSIテクノロジ : 高性能かつ高信頼度BiC-DMOSデバイス開発(アナログ,アナデジ混載,RF及びセンサインタフェース回路)
- Low-k/Cu配線層にシリンダキャパシタを内包したロジックIP準拠・混載DRAMデバイス