加藤 寛和 | (株)東芝 半導体研究開発センター
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概要
(株)東芝 半導体研究開発センター | 論文
- 2ポートアンチヒューズセルを格子状に配置した65nm Pure CMOSプロセスで搭載可能なOne-time Programmableメモリ(メモリ技術(DRAM,SRAM,フラッシュ,新規メモリー))
- フレキシブルマッピングリダンダンシ技術とアディショナルリフレッシュ方式を採用した1.6GByte/s 72Mb DRAM
- ポーラス Low-k/Cu 配線におけるダメージ修復技術
- 白色LED向け高放熱性ウエーハレベル・チップスケール・パッケー・ジの開発(配線・実装技術と関連材料技術)
- Ultra Low-k 膜(k=2.0)及び選択的バリア層CuSiNを適用した32nm世代向けCu配線技術