Jenichen Bernd | Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany

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概要

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• Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germanyの論文著者

関連著者

• Grahn Holger

  Paul-drude-institut Fur Festkorperelektronik

• JENICHEN Bernd

  Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik

• Jenichen Bernd

  Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany

• TRAMPERT Achim

  Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik

• Kalisch Holger

  Gan Device Technology Rwth Aachen University

• Vescan Andrei

  Gan Device Technology Rwth Aachen University

• Wan Qian

  Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany

• WOITOK Joachim

  PANalytical B.V.

• MAUDER Christof

  GaN Device Technology, RWTH Aachen

• HEUKEN Michael

  GaN Device Technology, RWTH Aachen

• Wang Kwang-Ru

  Paul-Drude-Institut für Festkörperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, Germany

• HEY Rudolf

  Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik

• Hey Rudolf

  Paul-drude Institut Fur Festkorperelektronik

• Mazuelas Angel

  Paul-drude-institut Fur Festkorperelektronik

• NORENBERG Holger

  Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik

• WANG Kwang-Ru

  Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik

• Woitok Joachim

  PANalytical B.V., P. O. Box 13, 7600 AA Almelo, The Netherlands

• WAN Qian

  Paul-Drude-Institut fur Festkorperelektronik

• Vescan Andrei

  GaN Device Technology, RWTH Aachen, Sommerfeldstr. 24, 52074 Aachen, Germany

• KALISCH Holger

  GaN Device Technology, RWTH Aachen

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著作論文

• High Carbon Doping of GaAs and AlAs in Distributed Bragg Reflectors
• Formation of a Monocrystalline, M-Plane AlN Layer by the Nitridation of \gamma-LiAlO2(100)
• Formation of a Monocrystalline, M-Plane AlN Layer by the Nitridation of γ-LiAlO_2(100)

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