Hoffmann Axel | Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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概要
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- 同名の論文著者
- Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germanyの論文著者
関連著者
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HOFFMANN Axel
Institut fur Festkorperphysik der TU Berlin
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Hoffmann Axel
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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KASCHNER Axel
Institut fur Festkorperphysik der TU Berlin
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Christen Jurgen
Institut Fur Experimentelle Physik Otto-von-guericke Universitat
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Meyer B
Justus-liebig‐univ. Giessen Giessen Deu
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Christen Jurgen
Institute Of Experimental Physics Otto-von-guericke University
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Christen Jurgen
Institut Fur Experimentelle Physik Otto-von-guericke-universitat Magdeburg
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Hoffmann A
Technische Univ. Berlin Deu
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Amano Hiroshi
Department of Cardiology and Pneumology, Dokkyo University School of Medicine
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Akasaki Isamu
Department Of Electrical And Electronic Engineering Meijyo University
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Akasaki Isamu
Department Of Electrical And Electronic Engineering And High-tech Research Center Meijo University
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MEYER Bruno
Physics Institute, Justus-Liebig-University Giessen
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STEUDE Guido
Physikalisches Institut, Universitat Giessen
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GOLDNER Axel
Institut fur Festkorperphysik der TU Berlin
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BECHSTEDT Friedhelm
Institut fur Festkorpertheorie und Theoretische Optik, Friedrich-Schiller-Universitat Jena
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Amano H
Department Of Electrical And Electronic Engineering And High-tech Research Center Meijo University
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Bimberg Dieter
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Thomsen Christian
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat
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Steude Guido
Physikalisches Institut Universitat Giessen
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Kaschner A
Technische Univ. Berlin Deu
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Kaschner Axel
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat
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Hoffmann Axel
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat
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LIU Quincy
Abteilung Theoretische Physik, Hahn-Meitner-Institut
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VEIT Peter
Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg
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CLOS Rainer
Institut fur Experimentelle Physik, Otto-von-Guericke-Universitat Magdeburg
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KRESTNIKOV Igor
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin
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Veit Peter
Institut Fur Experimentelle Physik Otto-von-guericke-universitat Magdeburg
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Liu Quincy
Abteilung Theoretische Physik Hahn-meitner-institut
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Clos Rainer
Institut Fur Experimentelle Physik Otto-von-guericke-universitat Magdeburg
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Strittmatter Andre
Institut Fur Festkorperphysik Technische Universitat Berlin
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Bechstedt Friedhelm
Institut Fur Festkorpertheorie Und Theoretische Optik Friedrich-schiller-universitat Jena
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Meyer Bruno
Physics Institute Justus-liebig-university Giessen
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Albrecht Martin
Institute of Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany
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Dworzak Matthias
Institute of Solid State Physics, Technical University Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany
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Hildebrant Radowan
Institute of Solid State Physics, Technical University Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany
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Geelhaar Lutz
Qimonda (formerly Infineon Technologies), D-81730 Munich, Germany
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Galluppi Massimo
Qimonda (formerly Infineon Technologies), D-81730 Munich, Germany
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Riechert Henning
Qimonda (formerly Infineon Technologies), D-81730 Munich, Germany
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Remmele Thilo
Institute of Crystal Growth, Max-Born-Str. 2, D-12489 Berlin, Germany
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Ledentsov Nikolai
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Strassburg Martin
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Bimberg Dieter
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Krestnikov Igor
Institut für Festkörperphysik, Technische Universität Berlin, Hardenbergstr. 36, 10623 Berlin, Germany
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Hoffmann Axel
Institute of Solid State Physics, Technical University Berlin, Hardenbergstr. 36, D-10623 Berlin, Germany
著作論文
- Strain Modification of GaN in AlGaN/GaN Epitaxial Films
- Local Stress Analysis of Epitaxial Laterally-Overgrown GaN
- On the Origin of the Unexpected Annealing Behavior of GaInNAs Quantum Wells
- Direct Evidence of Nanoscale Carrier Localization in InGaN/GaN Structures Grown on Si Substrates