Miura Takayoshi | Semiconductor Leading Edge Technologies, Inc., 16-1 Onogawa, Tsukuba, Ibaraki 305-8569, Japan

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概要

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著作論文

Fabrication of High-Mobility Nitrided Hafnium Silicate Gate Dielectrics with Sub-1-nm Equivalent Oxide Thickness Using Plasma Nitridation and High-Temperature Postnitridation Annealing

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