松本 拓治 | (株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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概要
(株)東芝 セミコンダクター社プロセス技術推進センター | 論文
- 14nmゲートCMOS技術 : poly-SiGe ゲート電極、及びNiSiを用いた低温プロセスによる性能向上
- 極薄膜NO Oxynitrideゲート絶縁膜とNi SALICIDEプロセスを用いた高性能35nmゲート長CMOS
- 1GビットDRAM用トレンチ・セル技術
- 電子ビーム描画データ変換の高速化
- セル面積 0.29μm^2 を実現したトレンチ型 DRAM セル技術