井上 喜嗣 | ルネサス テクノロジ
スポンサーリンク
概要
ルネサス テクノロジ | 論文
- 飛行時間型二次イオン質量分析によるNi_2Si-NiSi相変化の解析
- 合金シードを用いるめっき銅薄膜のキャラクタリゼーション(機能性界面と分析化学)
- Si注入技術を用いたNiシリサイド形成領域制御によるnMOSFETの異常ゲートエッジリーク抑制
- CVD-TiN/Tiバリアメタルのコンタクトプラグプロセスへの応用
- 22nmノード以降のCMOSに向けた低抵抗かつ均質なNiPtシリサイド膜の低温マイクロ波アニールによる形成