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前多 正 | Nec システムデバイス研
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Nec システムデバイス研 | 論文
MRAMの技術動向、今後の展開、32MbMRAM開発(メモリ技術)
混載向け高速MRAMセル技術(新メモリ技術とシステムLSI)
多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
A 4-level Storage 4Gb DRAM
(Ba,Sr)TiO_3(BST)薄膜を用いたギガビットDRAM用キャパシター形成技術
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