Fortunato Guglielmo | Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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概要
関連著者
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Fortunato Guglielmo
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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Fortunato G.
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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Mariucci L
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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MARIUCCI Luigi
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
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Pecora Alessandro
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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PECORA Alessandro
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
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Carluccio Roberto
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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PETROCCO Giovanni
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
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Petrocco Giovanni
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Fortunato G.
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido
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Gentile Massimo
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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FOGLIETTI Vittorio
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
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DELLA SALA
ENEA Centro Ricerche Casaccia
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PUGLIA Carla
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
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REITA Carlo
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
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Puglia Carla
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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LUCIANI Laura
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
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Luciani Laura
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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Ayres J.
Philips Research
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Foglietti Vittorio
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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Reita C.
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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MASSUSSI Fabio
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
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BROTHERTON Stanley
Philips Research Laboratories
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MARIUCCI L.
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
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Massussi Fabio
Istituto Di Elettronica Dello Stato Solido Cnr
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Mariucchi Luigi
Istituto di Elettronica dello Stato Solido, CNR
著作論文
- Numerical Analysis of the Electrical Characteristics of Gate Overlapped Lightly Doped Drain Polysilicon Thin Film Transistors
- A Two-Pass Excimer Laser Annealing Process to Control Amorphous Silicon Crystallization
- Pd-Gate a-Si:H Thin-Film Transistors as Hydrogen Sensors
- Source-Drain Metal Contact Effects in Short-Channel a-Si:H Thin-Film Transistors
- Theoretical Analysis of a-Si:H Based Multilayer Structure Thin Film Transistors