上田 善武 | Univ. Tokyo Chiba
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概要
関連著者
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上田 善武
Univ. Tokyo Chiba
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上田 善武
広大理
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橋本 英二
Hiroshima Univ. Hiroshima
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橋本 英二
広大理
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紀 隆雄
広島電機大
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紀 隆雄
広大理
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田村 博文
広大理
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橋本 英二
広大放射光セ
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松下 録治
京大炉
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畠下 明
広大理
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岩見 正之
広大理
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柏原 伸紀
京大炉
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出口 考彦
愛媛大教育
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細田 宏樹
愛媛大教育
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山崎 仁嗣
広大理
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柏原 伸紀
広大理
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Ueda Yoshitake
Department Of Clinical Radiology Faculty Of Health Sciences Hiroshima International University
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HASHIMOTO Eiji
Hiroshima Synchrotron Radiation Center, Hiroshima University
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Hashimoto Eiji
Hiroshima Synchrotron Radiation Center Hiroshima University
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吉田 けい子
広大理
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鈴木 孝至
広大院先端
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鈴木 孝至
広大理
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藤田 敏三
広大理
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鈴木 考至
広大理
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後藤 隆介
広大理
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薬師寺 晃
愛媛大教育
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上田 善武
広国大保健医療
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YAMASAKI Hitoshi
Department of Physics,Faculty of Science,HIROSHIMA University
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SAKOH Kazuhiro
Department of Physics,Faculty of Science,Hiroshima University
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酒匂 和宏
広大理
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荒木 貴三
広大理
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Sakoh Kazuhiro
Department Of Physics Faculty Of Science Hiroshima University
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Yamasaki Hitoshi
Department Of Informatics Kyushu University
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Yamasaki Hitoshi
Department Of Physics Faculty Of Science Hiroshima University
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植松 信行
広大理
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石丸 裕
広大理
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紀 隆男
広大理
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細田 宏樹
広大理
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米谷 敦
広大理
著作論文
- 3a-YG-1 アルミニウムの中の転位による陽電子捕獲速度
- 31p-D-12 転位による陽電子捕獲速度に及ぼす不純物の影響 II
- 27a-H-10 アルミニウム中の転位による陽電子補捉速度 II
- 27a-ZN-1 転位による陽電子捕獲速度に及ぼす不純物の影響
- 31a-F-4 アルミニウム中の希土類元素による伝導電子散乱
- 29p-YG-5 アルミニウム-希土類元素合金における電気抵抗の温度依存
- 14p-A-5 アルミニウム-希土類元素合金における低磁場電流磁気効果
- 30p-X-5 アルミニウム-希土類元素合金の電気的性質I
- 25a-T-2 Al-Eu合金における電流磁気効果
- 29a-YC-3 高純度アルミニウム単結晶における電気抵抗率の異方性
- 5a-YG-9 超高純度アルミニウム単結晶における電気伝導
- 29p-YG-4 超高純度金属における極低温でのオームの法則
- 14p-A-7 超高純度アルミニウム単結晶における電気抵抗率の温度依存の異方性
- 14p-A-6 超高純度アルミニウム単結晶における残留抵抗率の異方性
- 30a-F-3 高純度アルミニウム単結晶中の転位による伝導電子散乱の異方性 II
- 15p-D-6 アルミニウムにおけるW点付近のエネルギーギャップ
- 28a-H-12 高純度アルミニウムにおけるmagnetic breakdownにより誘起される開軌道
- 28a-ZJ-5 アルミニウム単結晶における開軌道とエネルギーギャップII
- 高純度金属の残留抵抗と純度評価 (特集1 ITと高純度金属)
- 29a-ZA-6 超高純度Al単結晶における磁場中のバリスティック電子伝導
- 5p-S-13 超高純度Al単結晶における低温電子輸送
- Purity Dependence of the Anisortopy of Residual Electrical Resistivity in High-Purity Al Single Crystals
- 28p-E-5 超高純度Al単結晶における非線形電気伝導
- 超高純度金属の作製とバリスティック伝導
- Negative Resistance due to the Ballistic Conduction of Electrons in a Metal Single Crystal
- 高純度Alおよび高純度Al希薄合金単結晶におけるサイズ効果
- 超高純度金属の物性 : 格子欠陥制御によってみえた新しい電子輸送現象
- 1p-M-13 超高純度金属における負抵抗
- 30a-N-11 超高純度アルミニウム単結晶における磁気抵抗の量子振動
- 30a-N-10 高純度アルミニウム単結晶における電気抵抗率の異方性II
- アルミニウムの高純度化と物性 (高純度金属研究の現状)
- 31a-F-5 アルミニウム中の転移による陽電子補足速度
- 1p-W-4 AlのSQUID-de Haas van Alphen効果
- 27p-ZN-7 高純度Alの格子欠陥による高磁場磁気抵抗のコーラー則からのずれ
- 30a-K-12 高純度アルミニウムの高磁場磁気抵抗における線型増加
- 30a-K-11 高純度Al単結晶中の原子空孔によるDMRII
- 26p-T-5 高純度Al単結晶中の原子空孔によるDMR
- 3a-Z-9 引っ張り変形したAl単結晶における低磁場ホール効果
- 5p-Q-1 高純度アルミニウム単結晶中の転位による伝導電子散乱の異方性
- 3p-E4-1 稀薄Al-Ni合金における低磁場電流磁気効果