アルミニウムの高純度化と物性 (高純度金属研究の現状<特集>)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 29a-YC-8 応力下における転位による陽電子捕獲速度
- 5a-YG-10 高完全度Al単結晶における原子空孔型転位ループの焼鈍時間依存
- 3a-YG-1 アルミニウムの中の転位による陽電子捕獲速度
- 高完全度Al単結晶中の高温において生成した原子空孔型転位ループ : 基礎(実験)III
- 31a-P-11 アルミニウム単結晶中の転位による陽電子捕獲速度
- 30p-P-13 低転位密度Al結晶における原子空孔の熱的生成
- 14a-DK-7 高完全度Al単結晶中の原子空孔型転位ループ
- 1a-D-2 原子空孔源としての格子間原子型転位ループの昇温速度依存
- 31p-D-12 転位による陽電子捕獲速度に及ぼす不純物の影響 II
- 28a-H-11 Al単結晶における熱サイクルの焼鈍の効果
- 27a-H-10 アルミニウム中の転位による陽電子補捉速度 II
- 25p-H-10 高完全度AI単結晶中の格子間原子型転位
- 27a-ZN-1 転位による陽電子捕獲速度に及ぼす不純物の影響
- 27aYL-9 超高純度・低転位密度Al単結晶中の原子空孔源
- 24aB6 歪・焼鈍法で作製したアルミニウム単結晶の転位密度(バルク成長VII)
- 28a-ZA-13 歪・焼鈍法で作製した超高純度・低転位密度Al単結晶中の格子欠陥
- 26a-P-6 歪・焼鈍法による超高純度・低転位密度Al単結晶の製作
- 5a-YG-3 H_2Oとの反応によって導入されたアルミニウム中の水素IV
- 14a-DK-3 H_2Oとの反応によって導入されたアルミニウム中の水素
- 27p-ZN-2 アルミニウム表面における水素の侵入機構
- 27pYC-3 超高純度・低転位密度AI単結晶中の原子空孔源 II
- 27p-ZN-12 高完全度Al単結晶中の格子間原子型転移ループの動的挙動
- 26p-T-8 温度変化に伴う高完全度Al単結晶中の欠陥構造の変化
- 26p-T-7 原子空孔源としての格子間原子型転位ループの成長
- 26p-T-6 高完全度Al単結晶中の原子空孔型転位ループの形成
- 6p-A3-4 SRトポグラフィによる低転位密度Al単結晶中の原子空孔源の動的挙動
- 31a-F-4 アルミニウム中の希土類元素による伝導電子散乱
- 29p-YG-5 アルミニウム-希土類元素合金における電気抵抗の温度依存
- 14p-A-5 アルミニウム-希土類元素合金における低磁場電流磁気効果
- 30p-X-5 アルミニウム-希土類元素合金の電気的性質I
- 25a-T-2 Al-Eu合金における電流磁気効果
- 29a-YC-3 高純度アルミニウム単結晶における電気抵抗率の異方性
- 5a-YG-9 超高純度アルミニウム単結晶における電気伝導
- 29p-YG-4 超高純度金属における極低温でのオームの法則
- 14p-A-7 超高純度アルミニウム単結晶における電気抵抗率の温度依存の異方性
- 14p-A-6 超高純度アルミニウム単結晶における残留抵抗率の異方性
- Synchrotron Radiation Topographic Camera for Continuous Observation
- Temperature Dependence of Positron Annihilation in Plastically Deformed Copper
- 30a-F-3 高純度アルミニウム単結晶中の転位による伝導電子散乱の異方性 II
- Application of High-Resolution Film for Lithography to Synchrotron X-Ray Topography
- Positron Trapping Rate into Dislocations in Aluminum
- 30a-K-10 高完全度Al単結晶中の原子空孔型転位ループ列の形成
- 15p-D-6 アルミニウムにおけるW点付近のエネルギーギャップ
- 28a-H-12 高純度アルミニウムにおけるmagnetic breakdownにより誘起される開軌道
- 28a-ZJ-5 アルミニウム単結晶における開軌道とエネルギーギャップII
- 高純度金属と格子欠陥
- 高純度金属の残留抵抗と純度評価 (特集1 ITと高純度金属)
- 29a-ZA-6 超高純度Al単結晶における磁場中のバリスティック電子伝導
- 5p-S-13 超高純度Al単結晶における低温電子輸送
- Purity Dependence of the Anisortopy of Residual Electrical Resistivity in High-Purity Al Single Crystals
- 28p-E-5 超高純度Al単結晶における非線形電気伝導
- 超高純度金属の作製とバリスティック伝導
- Negative Resistance due to the Ballistic Conduction of Electrons in a Metal Single Crystal
- 高純度Alおよび高純度Al希薄合金単結晶におけるサイズ効果
- 超高純度金属の物性 : 格子欠陥制御によってみえた新しい電子輸送現象
- 1p-M-13 超高純度金属における負抵抗
- 30a-N-11 超高純度アルミニウム単結晶における磁気抵抗の量子振動
- 30a-N-10 高純度アルミニウム単結晶における電気抵抗率の異方性II
- アルミニウムの高純度化と物性 (高純度金属研究の現状)
- 31a-F-5 アルミニウム中の転移による陽電子補足速度
- 1p-W-4 AlのSQUID-de Haas van Alphen効果
- 27p-ZN-7 高純度Alの格子欠陥による高磁場磁気抵抗のコーラー則からのずれ
- 30a-K-12 高純度アルミニウムの高磁場磁気抵抗における線型増加
- 30a-K-11 高純度Al単結晶中の原子空孔によるDMRII
- 26p-T-5 高純度Al単結晶中の原子空孔によるDMR
- 3a-Z-9 引っ張り変形したAl単結晶における低磁場ホール効果
- 5p-Q-1 高純度アルミニウム単結晶中の転位による伝導電子散乱の異方性
- 3p-E4-1 稀薄Al-Ni合金における低磁場電流磁気効果
- 4p-Z-3 変形したZnにおける陽電子消滅の温度依存
- 5p-Q-12 変形した鉄における陽電子消滅の温度依存
- 5a-A3-2 高純度アルミニウムからの水素放出