橋本 英二 | 広大理
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概要
関連著者
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橋本 英二
広大理
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橋本 英二
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著作論文
- 29a-YC-8 応力下における転位による陽電子捕獲速度
- 5a-YG-10 高完全度Al単結晶における原子空孔型転位ループの焼鈍時間依存
- 3a-YG-1 アルミニウムの中の転位による陽電子捕獲速度
- 高完全度Al単結晶中の高温において生成した原子空孔型転位ループ : 基礎(実験)III
- 31a-P-11 アルミニウム単結晶中の転位による陽電子捕獲速度
- 30p-P-13 低転位密度Al結晶における原子空孔の熱的生成
- 14a-DK-7 高完全度Al単結晶中の原子空孔型転位ループ
- 31p-D-12 転位による陽電子捕獲速度に及ぼす不純物の影響 II
- 27a-H-10 アルミニウム中の転位による陽電子補捉速度 II
- 27a-ZN-1 転位による陽電子捕獲速度に及ぼす不純物の影響
- 5a-YG-3 H_2Oとの反応によって導入されたアルミニウム中の水素IV
- 14a-DK-3 H_2Oとの反応によって導入されたアルミニウム中の水素
- 26p-T-8 温度変化に伴う高完全度Al単結晶中の欠陥構造の変化
- 26p-T-6 高完全度Al単結晶中の原子空孔型転位ループの形成
- 31a-F-4 アルミニウム中の希土類元素による伝導電子散乱
- 29p-YG-5 アルミニウム-希土類元素合金における電気抵抗の温度依存
- 14p-A-5 アルミニウム-希土類元素合金における低磁場電流磁気効果
- 30p-X-5 アルミニウム-希土類元素合金の電気的性質I
- 25a-T-2 Al-Eu合金における電流磁気効果
- 29a-YC-3 高純度アルミニウム単結晶における電気抵抗率の異方性
- 5a-YG-9 超高純度アルミニウム単結晶における電気伝導
- 29p-YG-4 超高純度金属における極低温でのオームの法則
- 14p-A-7 超高純度アルミニウム単結晶における電気抵抗率の温度依存の異方性
- 14p-A-6 超高純度アルミニウム単結晶における残留抵抗率の異方性
- 30a-K-10 高完全度Al単結晶中の原子空孔型転位ループ列の形成
- 1p-M-13 超高純度金属における負抵抗
- 30a-N-11 超高純度アルミニウム単結晶における磁気抵抗の量子振動
- 30a-N-10 高純度アルミニウム単結晶における電気抵抗率の異方性II
- 31a-F-5 アルミニウム中の転移による陽電子補足速度
- 1p-W-4 AlのSQUID-de Haas van Alphen効果
- 4p-Z-3 変形したZnにおける陽電子消滅の温度依存
- 5p-Q-12 変形した鉄における陽電子消滅の温度依存
- 5a-A3-2 高純度アルミニウムからの水素放出
- 31a-E1-5 低転位密度Al単結晶における陽電子消滅(31a E1 格子欠陥,格子欠陥)
- 29a-FA-4 変形した銅における陽電子消滅の温度依存(II)(29a FA 格子欠陥)