大鹿 克志 | (株)日立製作所半導体事業部

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関連著者

• 大鹿 克志

  (株)日立製作所半導体事業部

• 黒田 淳

  日立超lsiシステムズ

• 柳沢 寛

  (株)日立製作所デバイス開発センター

• 大鹿 克志

  日立製作所半導体事業部

• 柳沢 寛

  日立製作所デバイス開発センター

• 高谷 信一郎

  (株)日立製作所中央研究所

• 重田 淳二

  日立製作所 中央研究所

• 三浦 英生

  (株)日立製作所機械研究所

• 松本 秀俊

  (株)日立製作所 中央研究所

• 高谷 信一郎

  日立製作所中央研究所

• 増田 弘生

  (株)日立製作所デバイス開発センタ

• 三浦 英生

  東北大学大学院工学研究科

• 福井 宗利

  日立製作所デバイス開発センタ

• 松本 秀俊

  日立製作所中央研究所

• 山下 知子

  日立製作所デバイス開発センタ

• 黒田 淳

  (株)日立超LSIシステムズ

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著作論文

• 表面保護膜応力に起因したGaAs基板内の局所的分極電荷発生とトランジスタしきい電圧変動の解析
• GaAsHIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構
• SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響
• GaAs表面酸化膜の0.35μmHIGFET特性への影響
• SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響
• SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響
• SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響

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