GaAs表面酸化膜の0.35μmHIGFET特性への影響

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• 0.35μmWSiゲートHIGFET(Heterostructure insulated gate FET)のゲート金属横に存在するGaAs表面酸化膜のFET特性に与える影響を評価した.ゲート金属横のパッシベーション膜としては, プラズマCVD法による本HIGFETに最適化されたSiON膜(屈折率1.58)[1]を用いた.GaAs表面の酸化状態を変化させるため, 二つの酸化方法を適用した.水銀ランプ(184.9, 253.7nm)からの紫外線照射により大気中のO_2より生成されたO_3による室温酸化(以下, UV/O_3酸化と呼ぶ)と大気中での400℃熱酸化である.分光エリプソ, オージェ分光分析, XPS分析の結果より, UV/O_3酸化膜はAs酸化物リッチで, SiON/GaAs酸化膜/GaAs界面は熱的に不安定でありFET作成工程の熱処理時にSiON膜との反応を伴う熱分解による遊離Asが発生する.一方, 400℃熱酸化膜は, 酸化時の熱で不安定なAs酸化物は分解するため, Ga酸化物が多い膜が形成される結果, SiON/GaAs酸化膜/GaAs界面は熱的に安定であることが判明した.いずれの場合も, パッシベーション膜/GaAs界面に存在するGaAs酸化膜及びGaAs酸化膜から遊離したAsが, FET特性劣化の原因となっていることが確認された.プロセス的には, パッシベーション膜形成前の酸化膜除去及び表面酸化防止が重要であり, 我々は, BHFウエットエッチによりGaAs酸化膜を除去することにより安定なFET特性を得た.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2000-04-25

著者

• 黒田 淳

  日立超lsiシステムズ

• 大鹿 克志

  (株)日立製作所半導体事業部

• 柳沢 寛

  (株)日立製作所デバイス開発センター

関連論文

• 表面保護膜応力に起因したGaAs基板内の局所的分極電荷発生とトランジスタしきい電圧変動の解析
• GaAsHIGFETにおけるゲートリーク電流発生機構
• SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響
• GaAs表面酸化膜の0.35μmHIGFET特性への影響
• SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響
• SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響
• SiON系パッシベーション膜の0.35μmHIGFET特性への影響

スポンサーリンク