大森 真二 | ソニー株式会社セミコンダクタネットワークカンパニー LSIテクノロジー開発部門 リソグラフィ技術部
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概要
関連著者
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大森 真二
ソニー株式会社セミコンダクタネットワークカンパニー LSIテクノロジー開発部門 リソグラフィ技術部
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大森 真二
東大生研
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二瓶 好正
東大生研
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石井 秀司
京都大学大学院工学研究科材料工学専攻:(現)(株)イオン工学研究所
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二瓶 好正
東京理科大学総合研究機構
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石井 秀司
東大生研
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石井 秀司
東京大学 生産技術研究所
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白木 将
東京大学生産技術研究所
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二瓶 好正
東京大学生産技術研究所
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石井 秀司
東京大学生産技術研究所
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大森 真二
東京大学生産技術研究所
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小堺 智一
セイコーインスツルメンツ
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鈴木 敬紀
東大生研
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白木 將
理化学研究所
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二瓶 好正
東京理科大学理工学研究科
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尾張 真則
東京大学生産技術研究所
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白木 將
理化学研究所表面化学研究室
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二瓶 好正
東京理科大学
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原田 真吾
京都大学工学院工学研究科材料工学専攻
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鈴木 貴史
京都大学工学院工学研究科材料工学専攻
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杉村 哲郎
京都大学工学院工学研究科材料工学専攻
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河合 潤
京都大学工学院工学研究科材料工学専攻
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成松 啓博
東大生研
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鈴木 教典
三菱化学
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小堺 智一
東大生研
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河合 潤
京都大学工学研究科材料工学専攻
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二瓶 好正
東京大学生産技術研究所:(現)東京大学生産技術研究所
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河合 潤
京都大学工学研究科教授
著作論文
- 光電子スペクトロホログラフィー法の開発 : 固体表面の三次元原子配列を観るために
- 28pXC-3 光電子回折/ホログラフィ測定の高精度化と個体表面解析
- パラジウム単結晶の蛍光X線極角依存性測定の試み
- 26aPS-30 光電子ホログラフィーによるSrF_2/Ge(111)の研究
- 26aPS-23 X線光電子回折によるGe(111)-c(2x8)上のCu薄膜成長の研究
- 28p-S-15 Ge(111)-e(2×8)上へのCuの成長初期過程のX線光電子回折による研究
- 27a-PS-23 フッ化物からのX線光電子回折パターンにおける菊池バンドの消滅
- 26p-YR-1 テンソルLEED法の光電子回折への応用
- 26a-YR-10 X線光電子回折法を用いたCu/Ge(111)の研究
- 31a-PS-7 超薄膜からの光電子回折パターン中のホログラフィック干渉環の研究
- 7a-PS-53 X線光電子回折における菊池バンドをもちいた結晶構造因子の決定
- 29p-T-13 電子線回折と異なる光電子回折における菊池バンドの消滅則
- 29a-PS-30 Ge(111)-c(2×8)上に成長させたSrF_2超薄膜の光電子回折による構造解析
- CaF_2-硫黄処理InP(100)界面の硫黄層からの光電子回折
- 3p-J-7 光電子回折法による S/InP(100)及びその上に成長した CaF_2薄膜の構造解析