宮本 信雄 | 東北大学電気通信研究所
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概要
関連著者
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宮本 信雄
東北大学電気通信研究所
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宮本 信雄
東北大通研
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宮本 信雄
東北学院大 工
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末光 眞希
東北大学電気通信研究所
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阿部 俊三
東北工大
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石辺 二朗
日立造船(株)真空機器システム部
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石辺 二朗
日立造船株式会社
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小野寺 勤
東北大学通研
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北側 彰一
日立造船
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北側 彰一
日立造船株式会社技術研究所
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庭野 道夫
東北大学電気通信研究所
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平舘 幸男
東北工大
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小村 明夫
日立造船
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庭野 道夫
東北大通研
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小村 明夫
日立造船(株)技術・開発本部
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鈴木 基光
日立造船(株)技術・開発本部 技術研究所
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鈴木 基光
日立造船株式会社
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小村 明夫
日立造船株式会社
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釆女 豊
東北大学電気通信研究所
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平舘 幸男
東北工業大学
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北側 彰一
日立造船(株)
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宮本 信雄
東北学院大学工学部
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末光 眞希
東北大・通研
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広瀬 文彦
東北大・通研
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宮本 信雄
東北大・通研
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末光 真希
東北大通研
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鈴木 基光
日立造船 (株) 技術本部技術研究所
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宮本 信雄
東北学院大工
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鈴木 基光
日立造船(株)技術本部技術研究所
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北側 彰一
日立造船株式会社技術企画部
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高橋 勝徳
東北大学電気通信研究所
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小野寺 勤
東北大学電気通信研究所
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宮本 信雄
東北大・電通研
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小野寺 勤
東北大・電通研
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北側 彰一
日立造船株式会社
著作論文
- TDSによる電子ビーム再溶融処理材のガス放出特性評価
- 変調加熱昇温脱離法によるガス放出特性評価
- シランを用いたシリコンガスソースMBEの成長機構 : エピタキシーI
- 4p-E4-2 NMRスピンエコーによる半導体結晶中四極子相互作用の検出
- 分子線エピタキシ-用アルミニウム合金超高真空チャンバ-1-
- クロム添加半絶縁性砒化ガリウムのEPRによる評価
- X線の構造解析への応用 (X線技術の応用の現状と将来展望)
- X線測定によるシリコンエピタキシャル層の格子歪
- 4p-X-5 固体表面における光反応
- 気相法と分子線法によるシリコンの結晶成長 (現在の主な研究)
- アルミニウム合金の超高真空システムと半導体プロセスへの応用
- アセチレン(C2H2)-酸素(O2)の燃焼炎によるダイヤモンドの合成
- 気相法によるβ-SiC膜の成長
- MBE装置用基板加熱器の開発
- レ-ザ照射によるβ-SiC膜の形成
- アルミニウム合金製分子線エピタキシー容器の真空性能
- シリコンの気相成長における結晶表面形態II : モルフォロジー
- シリコンの気相成長における結晶表面形態
- X線測定によるシリコンエピタキシャル層の格子歪み(Growth and Characterization of Silicon Crystals)