橋口 隆吉 | 東大工
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概要
関連著者
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橋口 隆吉
東大工
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橋口 隆吉
東理大・工
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橋口 隆吉
東理大工
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小岩 昌宏
東北大金研
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青野 正和
東大工
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石野 栞
東大工
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高橋 聡
金材研
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松浦 悦之
東大工
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石野 栞
東海大工
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松井 啓治
東北大工無所属
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小岩 昌宏
東大工
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坂入 英雄
理研
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橋口 隆吉
東京大学
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松浦 悦之
昭和42年度出版委員
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井形 直弘
東大工
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松井 啓治
東大工
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下斗米 道夫
東大工
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下斗米 道夫
東北工
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橋口 隆吉
東京理科大学工学部
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中澤 文子
東大理
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奥田 重雄
理 研
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奥田 重雄
東大工
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岩崎 邦彦
理研
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八木 栄一
理研
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梅山 伸二
東大生研
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井口 栄資
東大工
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小沼 稔
東大工
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中西 隆敏
東大工
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八木 栄一
東大工
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坂入 英雄
東大理
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須貝 哲也
東大工
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中沢 文子
東大理
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松浦 悦之
出版委員
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須貝 哲也
八幡製鉄 東研
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船越 宣博
東大工
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沢村 榮男
東大工
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柿内 賢信
東大物性研
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神奈川大工
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小野寺 秀也
東北大工:金研
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小山 昭雄
理研
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西池 氏裕
東京大学:川崎製鉄技術研究所
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Caltech
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東京大学工学部
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西池 氏裕
東大工
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東北大選研
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木村 宏
理 研
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吉田 正幸
原研
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近藤 一郎
名大理
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唐沢 孝
理研
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深井 有
東大物性研
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東大理
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小田 稔
国際高等研
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梅沢 博臣
東大理
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東大理物理
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久米 潔
東大物性研
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小田 稔
東大核研
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三宅 静雄
東大物性研
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上田 良二
名大理
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西村 純
東大核研
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東大教養
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学術会議
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会誌編集委員
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上田 良二
名城大理工
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松井 啓治
(東北大工)
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小切間 正彦
(日立中研)
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六反田 和幸
電機大工
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渡辺 勝利
日本原子力研究所東海研究所
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大井 徹
東大工
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渡辺 勝利
原研
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橋口 隆吉
東大工 理研
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島田 將三
東大工
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木村 宏
理研
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東大工
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梅山 伸二
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東大理
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小谷 正雄
東大理 物理
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小野 邦久
東海大工
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小林 駿介
東理大物理
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鴨下 源一
東大工
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小谷 正雄
東大理
著作論文
- 25a-Q-6 Cdひげ結晶の成長速度
- メルボルン会議 (格子欠陥部門) 報告
- 日本で国際会議を開催する意義とその成果をめぐつて
- 9a-P-3 Cl^核磁氣共鳴によるAgCl結晶中の格子欠陥の研究
- 3a-TA-4 γ-線損傷を受けたP-Siの回復過程
- 2p-N-4 β-Sn中のCo原子のメスバウアー効果 II
- 11p-U-6 照射されたCu_3Auのstage I の回復
- 126 鉄鋼の中性子照射硬化(中性子照射・水素吸収・拡散, 加工・性質, 日本鉄鋼協会 第 85 回(春季)講演大会)
- 低温加工した高純度Cuの内部摩擦 : 結晶塑性
- ウランの格子欠陥にもとづく内部摩擦 : XII. 結晶塑性
- 7p-E-8 Fe及びNb単結晶のスパッタソング
- 中性子照射したGaAsの格子欠陥 : 格子欠陥
- 還元ルチルの低温電気伝導と格子欠陥 : 格子欠陥
- 6a-P-12 Mgのスパッタリング
- 還元ルテルの低温における電気伝導 : 格子欠陥
- 8p-P-5 加工した貴金属の電気抵抗回復過程
- 3p-M-4 加工された金属の回復過程におけるエネルギー放出
- Al-Cu-SnおよびAl-Sn合金中のvacancy : 結晶塑性・格子欠陥
- 9p-P-6 照射したn型Geの焼鈍における不純物の役割II
- 照射したGeの焼鈍におけるimpurityの役割 : 格子欠陥
- 9p-C-1 ゲルマニウムの燒入れ効果
- ゲルマニウムの照射損傷の回復 : 半導体
- 3p-M-8 γ線を照射したゲルマニウムの焼鈍
- ゲルマニウムのγ線照射効果 : XIV. 格子欠陥
- 4a-L-6 電子線照射したn型Geの回復
- 10a-L-11 TiO_中のS=1をもつ欠陥(Ovペア)
- 30p-U-6 非化学量論的 TiO_2 中のいくつかの新しい常磁性中心
- 6p-E-2 アルミニウムをドープしたルチル(TiO_2)のESR
- 7a-E-4 ルチル(TiO_2)中の格子間チタンイオンの位置とエネルギー
- 2a-TA-2 ルチル(TiO_2)中の格子間チタンイオンの形成エネルギーの計算
- 7p-E-2 Co-57を含むシリコンの中性子 : 50MeV電子線損傷
- 10p-U-7 電子線照射したGaPの焼鈍ステージ
- 電子線照射したn型GeのESR : 格子欠陥
- 8p-P-8 加工した銅のanomalous after effect
- 8p-P-7 低温加工した銀の内部摩擦
- 20C-13 W,Moの内部摩擦
- 加工および焼鈍した純鉄の転位グループ : 格子欠陥
- 11a-U-3 Si中のV族不純物と空格子点の結合エネルギー
- 12p-Q-9 β-Bn中のCo原子のメスバウアー効果
- InSbの熱処理 : 格子欠陥
- γ線を照射したSiの磁気抵抗効果 : 格子欠陥
- 3p-M-7 格子欠陥のあるSiの磁気抵抗
- 還元ルチルのEPRのA-Cスペクトル : 磁気共鳴
- 6a-P-6 還元ルチルの格子欠陥のESR
- 加工した稀薄銅合金の内部摩擦 : 格子欠陥
- 転位と点欠陥の相互作用による内部摩擦 II : 結晶塑性
- 転位と点欠陥の相互作用による内部摩擦 I : 結晶塑性
- 加工した銅の150゜K内部摩擦ピーク (P_1) : 格子欠陥
- 7a-B-10 加工した銅の内部摩擦
- 7p-B-5 アルカリ・ハライドの超音波吸収 II
- Siの転位 : XX. 半導体
- 9p-P-5 シリコンのγ線損傷とその回復
- 10a-Q-11 P型Geの液体窒素温度電子線照射 II
- 22a-L-7 表面結晶成長の回位機構-II
- 13a-R-1 ひげ結晶序論
- 3p-C-1 チャネリング効果序説(Introductory Talk)
- 2a-U-11 転位の熱離脱による内部摩擦の計算(II)
- 6p-P-1 TiNiの相変態の転位機構
- 28B-15 KClの格子欠陥による内部摩擦(格子欠陥)
- 28A-1 Zrの電氣抵抗(結晶塑性)
- 30A-1 酸化ウランの電気的性質(半導体)
- 28A-2 Zrの内部摩擦(結晶塑性)