転位と点欠陥の相互作用による内部摩擦 II : 結晶塑性
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1964-03-31
著者
関連論文
- 25a-Q-6 Cdひげ結晶の成長速度
- 1a GK-4 NbOにおけるイオン-チャンネリングのMulti-strings modelによる計算
- 3p-CE-4 中性子回折,中性子非弾性散乱による水素-侵入原子クラスターの研究
- メルボルン会議 (格子欠陥部門) 報告
- 日本で国際会議を開催する意義とその成果をめぐつて
- 9a-P-3 Cl^核磁氣共鳴によるAgCl結晶中の格子欠陥の研究
- 3p-DQ-5 中性子照射したNbOのイオンチャネリング
- 31a-AB-11 イオンビーム注入による Radiation Gettering
- 9p-T-8 V-D合金のイオンビームによるRadiation Gettering
- 3a-TA-4 γ-線損傷を受けたP-Siの回復過程
- 2p-TA-7 KUR低温照射装置によるFa-B合金の内耗測定
- 5p-D-5 NbOのチャンネリング
- 2p-N-4 β-Sn中のCo原子のメスバウアー効果 II
- 11p-U-6 照射されたCu_3Auのstage I の回復
- 28a-H-10 不純物拡散の相関係数 : ダイアモンド格子
- 4p-NJ-5 体心立方金属中の置換型-侵入型不純物対による内部摩擦
- 4a-NJ-1 格子の中でのランダム・ウォーク
- 山本悟氏の"新しい反応速度論"(討論)
- 4a-F-8 パーコレーションとランダムウォーク
- 29a-J-5 HCP中双晶のコヒーレント境界
- 29a-F-12 NbOおよびZrO_の面チャンネリング
- 4p-P-5 HCP中の{1^^-1^^-22}刃状転位の芯構造
- 4p-AC-6 Cu_3Mnの短範囲規則
- 1a-CE-11 自己拡散の相関係数の温度依存性
- 9a-P-11 最密六方格子におけるランダムウォーク
- 9a-P-10 三次元(cubic)格子におけるランダム・ウォーク
- 6a-P-10 パラジウム-重水素単結晶のチャネリング
- 6a-P-8 中性子照射したNbO結晶のイオンチャネリング
- 6a-P-5 フラックス・ピーキング現象の侵入原子濃度および深さ依存性
- 126 鉄鋼の中性子照射硬化(中性子照射・水素吸収・拡散, 加工・性質, 日本鉄鋼協会 第 85 回(春季)講演大会)
- 低温加工した高純度Cuの内部摩擦 : 結晶塑性
- ウランの格子欠陥にもとづく内部摩擦 : XII. 結晶塑性
- 7p-E-8 Fe及びNb単結晶のスパッタソング
- 中性子照射したGaAsの格子欠陥 : 格子欠陥
- 還元ルチルの低温電気伝導と格子欠陥 : 格子欠陥
- 6a-P-12 Mgのスパッタリング
- 還元ルテルの低温における電気伝導 : 格子欠陥
- 8p-P-5 加工した貴金属の電気抵抗回復過程
- 3p-M-4 加工された金属の回復過程におけるエネルギー放出
- Al-Cu-SnおよびAl-Sn合金中のvacancy : 結晶塑性・格子欠陥
- 9p-P-6 照射したn型Geの焼鈍における不純物の役割II
- 照射したGeの焼鈍におけるimpurityの役割 : 格子欠陥
- 9p-C-1 ゲルマニウムの燒入れ効果
- ゲルマニウムの照射損傷の回復 : 半導体
- 3p-M-8 γ線を照射したゲルマニウムの焼鈍
- ゲルマニウムのγ線照射効果 : XIV. 格子欠陥
- 28a-H-11 溶媒自己拡散への溶質原子の効果
- 4a-L-6 電子線照射したn型Geの回復
- 10a-L-11 TiO_中のS=1をもつ欠陥(Ovペア)
- 30p-U-6 非化学量論的 TiO_2 中のいくつかの新しい常磁性中心
- 6p-E-2 アルミニウムをドープしたルチル(TiO_2)のESR
- 7a-E-4 ルチル(TiO_2)中の格子間チタンイオンの位置とエネルギー
- 2a-TA-2 ルチル(TiO_2)中の格子間チタンイオンの形成エネルギーの計算
- 7p-E-2 Co-57を含むシリコンの中性子 : 50MeV電子線損傷
- 14p-D-9 NbOの電子構造
- 10p-U-7 電子線照射したGaPの焼鈍ステージ
- 電子線照射したn型GeのESR : 格子欠陥
- 5p-D-4 チャンネリングによるタンタル中の重水素位置の決定
- 8p-P-8 加工した銅のanomalous after effect
- 8p-P-7 低温加工した銀の内部摩擦
- Auの内部摩擦 : XII. 結晶塑性
- 20C-13 W,Moの内部摩擦
- 加工および焼鈍した純鉄の転位グループ : 格子欠陥
- 11a-U-3 Si中のV族不純物と空格子点の結合エネルギー
- 12p-Q-9 β-Bn中のCo原子のメスバウアー効果
- 10p-N-8 NbOの中性子照射効果とその回復
- 稀薄銅合金の内部摩擦 : 格子欠陥
- InSbの熱処理 : 格子欠陥
- γ線を照射したSiの磁気抵抗効果 : 格子欠陥
- 3p-M-7 格子欠陥のあるSiの磁気抵抗
- 還元ルチルのEPRのA-Cスペクトル : 磁気共鳴
- 6a-P-6 還元ルチルの格子欠陥のESR
- 加工した稀薄銅合金の内部摩擦 : 格子欠陥
- 転位と点欠陥の相互作用による内部摩擦 II : 結晶塑性
- 転位と点欠陥の相互作用による内部摩擦 I : 結晶塑性
- 加工した銅の150゜K内部摩擦ピーク (P_1) : 格子欠陥
- 7a-B-10 加工した銅の内部摩擦
- 7p-B-5 アルカリ・ハライドの超音波吸収 II
- Siの転位 : XX. 半導体
- 9p-P-5 シリコンのγ線損傷とその回復
- 10a-Q-11 P型Geの液体窒素温度電子線照射 II
- 22a-L-7 表面結晶成長の回位機構-II
- 13a-R-1 ひげ結晶序論
- 3p-C-1 チャネリング効果序説(Introductory Talk)
- 2a-U-11 転位の熱離脱による内部摩擦の計算(II)
- 6p-P-1 TiNiの相変態の転位機構
- 28B-15 KClの格子欠陥による内部摩擦(格子欠陥)
- 28A-1 Zrの電氣抵抗(結晶塑性)
- 30A-1 酸化ウランの電気的性質(半導体)
- 28A-2 Zrの内部摩擦(結晶塑性)