ゲルマニウムの照射損傷の回復 : 半導体

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1961-04-03

著者

• 橋口 隆吉

  東大工

• 石野 栞

  東海大工

• 石野 栞

  東大工

• 中澤 文子

  東大理

関連論文

• 25a-Q-6 Cdひげ結晶の成長速度
• メルボルン会議 (格子欠陥部門) 報告
• 日本で国際会議を開催する意義とその成果をめぐつて
• 9a-P-3 Cl^核磁氣共鳴によるAgCl結晶中の格子欠陥の研究
• 607 組織観察に基づく SUS304 鋼におけるクリープ疲労キャビティ発生の力学的因子の検討
• 核融合炉材料工学 (核融合炉工学入門-3-(2)核融合炉の基礎工学)
• 1p-KL-12 低温イオン照射によるFCC金属のカスケード欠陥の観察
• 照射下析出速度測定による欠陥生成効率の評価
• 13a-L-5 回転ターゲットD-T中性子源RTNS-IIによる固体材料の照射損傷
• 13p-K-3 照射二次欠陥形成初期過程の計算機シミュレーション
• 9p-T-6 多元系ターゲットに於る損傷エネルギーの評価とその分配
• 7p-P-11 多元系ターゲットに対する損傷エネルギーデポジション
• 6a-Q-9 ゲルマニウムの4.6°K高速中性子照射
• 5p-K-4 放射線損傷
• 5a-KM-11 Ge73 13.3Kevメスバウアー線源作成(Ga73親核)
• 24p-L-9 バナジウム中酸素の電気抵抗
• 24p-L-8 バナジウム中酸素の応力緩和の電気抵抗による測定
• 24a-L-10 バナジウムの低温中性子照射による欠陥導入機構
• 3a-N-5 Ge^ 13.3kevメスバウアー効果の応用(II)
• 3a-N-4 Ge^ 13.3kevメスバウアー効果の応用(I)
• 3a-N-3 Ge^ 13.3kevメスバウアー効果(II)
• 30a-U-10 ゲルマニウムの放射線損傷とメスパウアー効果 : Fe57とGe73
• 格子欠陥(昭和42年度における各専門分野研究活動の展望)
• J.W. Corbett: Electron Radiation Damage in Semiconductors and Metals, Suppl. 7 to Solid State Physics, ed. Seitz and Turnbull, Academic Press, New York and London, 1966, 410頁, 16×23cm, 6,600円.
• 3a-TA-4 γ-線損傷を受けたP-Siの回復過程
• 2p-N-4 β-Sn中のCo原子のメスバウアー効果 II
• 11p-U-6 照射されたCu_3Auのstage I の回復
• 126 鉄鋼の中性子照射硬化(中性子照射・水素吸収・拡散, 加工・性質, 日本鉄鋼協会 第 85 回(春季)講演大会)
• 低温加工した高純度Cuの内部摩擦 : 結晶塑性
• ウランの格子欠陥にもとづく内部摩擦 : XII. 結晶塑性
• 7p-E-8 Fe及びNb単結晶のスパッタソング
• 中性子照射したGaAsの格子欠陥 : 格子欠陥
• 還元ルチルの低温電気伝導と格子欠陥 : 格子欠陥
• 6a-P-12 Mgのスパッタリング
• 還元ルテルの低温における電気伝導 : 格子欠陥
• 8p-P-5 加工した貴金属の電気抵抗回復過程
• 3p-M-4 加工された金属の回復過程におけるエネルギー放出
• Al-Cu-SnおよびAl-Sn合金中のvacancy : 結晶塑性・格子欠陥
• n型Geの65°K Annealing Stage : 格子欠陥
• 9p-P-6 照射したn型Geの焼鈍における不純物の役割II
• γ線を照射したP型Geの焼鈍 : 格子欠陥
• 照射したGeの焼鈍におけるimpurityの役割 : 格子欠陥
• 9p-C-1 ゲルマニウムの燒入れ効果
• ゲルマニウムの照射損傷の回復 : 半導体
• 3p-M-8 γ線を照射したゲルマニウムの焼鈍
• ゲルマニウムのγ線照射効果 : XIV. 格子欠陥
• 20C-27 重陽子照射によるGeの腐食孔
• 20C-26 重陽子照射によるGeの電気的性貭
• 17K-18 重陽子照射を行つたゲルマニウムの性質
• Geのlifetimeの温度依存性 : 半導体(実験)
• 4a-L-6 電子線照射したn型Geの回復
• 10a-L-11 TiO_中のS=1をもつ欠陥(Ovペア)
• 30p-U-6 非化学量論的 TiO_2 中のいくつかの新しい常磁性中心
• 6p-E-2 アルミニウムをドープしたルチル(TiO_2)のESR
• 7a-E-4 ルチル(TiO_2)中の格子間チタンイオンの位置とエネルギー
• 2a-TA-2 ルチル(TiO_2)中の格子間チタンイオンの形成エネルギーの計算
• 7p-E-2 Co-57を含むシリコンの中性子 : 50MeV電子線損傷
• 10p-U-7 電子線照射したGaPの焼鈍ステージ
• 電子線照射したn型GeのESR : 格子欠陥
• 8p-P-8 加工した銅のanomalous after effect
• 8p-P-7 低温加工した銀の内部摩擦
• 20C-13 W,Moの内部摩擦
• 加工および焼鈍した純鉄の転位グループ : 格子欠陥
• 11a-U-3 Si中のV族不純物と空格子点の結合エネルギー
• 12p-Q-9 β-Bn中のCo原子のメスバウアー効果
• InSbの熱処理 : 格子欠陥
• γ線を照射したSiの磁気抵抗効果 : 格子欠陥
• 3p-M-7 格子欠陥のあるSiの磁気抵抗
• 還元ルチルのEPRのA-Cスペクトル : 磁気共鳴
• 6a-P-6 還元ルチルの格子欠陥のESR
• 加工した稀薄銅合金の内部摩擦 : 格子欠陥
• 転位と点欠陥の相互作用による内部摩擦 II : 結晶塑性
• 転位と点欠陥の相互作用による内部摩擦 I : 結晶塑性
• 加工した銅の150゜K内部摩擦ピーク (P_1) : 格子欠陥
• 7a-B-10 加工した銅の内部摩擦
• 7p-B-5 アルカリ・ハライドの超音波吸収 II
• Siの転位 : XX. 半導体
• 9p-P-5 シリコンのγ線損傷とその回復
• 10a-Q-11 P型Geの液体窒素温度電子線照射 II
• 22a-L-7 表面結晶成長の回位機構-II
• 13a-R-1 ひげ結晶序論
• 3p-C-1 チャネリング効果序説(Introductory Talk)
• 2a-U-11 転位の熱離脱による内部摩擦の計算(II)
• 6p-P-1 TiNiの相変態の転位機構
• 28B-15 KClの格子欠陥による内部摩擦(格子欠陥)
• 28A-1 Zrの電氣抵抗(結晶塑性)
• 30A-1 酸化ウランの電気的性質(半導体)
• 28A-2 Zrの内部摩擦(結晶塑性)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク