3p-M-4 加工された金属の回復過程におけるエネルギー放出
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1960-04-02
著者
関連論文
- 25a-Q-6 Cdひげ結晶の成長速度
- メルボルン会議 (格子欠陥部門) 報告
- 日本で国際会議を開催する意義とその成果をめぐつて
- 9a-P-3 Cl^核磁氣共鳴によるAgCl結晶中の格子欠陥の研究
- 3a-TA-4 γ-線損傷を受けたP-Siの回復過程
- 11a-G-1 格子欠陥論の黎明と発展
- 2p-N-4 β-Sn中のCo原子のメスバウアー効果 II
- 24a-L-8 低温照射した不規則化Cu_3Auの熱的回復
- 11p-U-6 照射されたCu_3Auのstage I の回復
- 8a-Y-4 CuおよびCu_3Auの照射損傷率
- 8a-E-11 照射したCu_3Auの回復過程
- 7p-E-6 Cu_3およびCuの低温照射損傷
- 2a-TA-11 Cu_3Auの照射損傷
- 10p-Q-9 Cu_3Auのサイクロトロン照射
- 126 鉄鋼の中性子照射硬化(中性子照射・水素吸収・拡散, 加工・性質, 日本鉄鋼協会 第 85 回(春季)講演大会)
- 低温加工した高純度Cuの内部摩擦 : 結晶塑性
- ウランの格子欠陥にもとづく内部摩擦 : XII. 結晶塑性
- 28a-H-13 AL中にイオン注入されたSnの格子位置
- 5p-M-12 TiO_の格子欠陥
- 5p-G-1 還元ルチル(TiO_2)の面欠陥
- 7p-E-8 Fe及びNb単結晶のスパッタソング
- 中性子照射したGaAsの格子欠陥 : 格子欠陥
- 還元ルチルの低温電気伝導と格子欠陥 : 格子欠陥
- 6a-P-12 Mgのスパッタリング
- 還元ルテルの低温における電気伝導 : 格子欠陥
- 8p-P-5 加工した貴金属の電気抵抗回復過程
- 3p-M-4 加工された金属の回復過程におけるエネルギー放出
- Al-Cu-SnおよびAl-Sn合金中のvacancy : 結晶塑性・格子欠陥
- 9p-P-6 照射したn型Geの焼鈍における不純物の役割II
- 照射したGeの焼鈍におけるimpurityの役割 : 格子欠陥
- 9p-C-1 ゲルマニウムの燒入れ効果
- ゲルマニウムの照射損傷の回復 : 半導体
- 3p-M-8 γ線を照射したゲルマニウムの焼鈍
- ゲルマニウムのγ線照射効果 : XIV. 格子欠陥
- 5p-PS-79 Bi-Sr-Ca-Cu-O系高温超伝導体のイオン散乱分光
- 4a-L-6 電子線照射したn型Geの回復
- 10a-L-11 TiO_中のS=1をもつ欠陥(Ovペア)
- 30p-U-6 非化学量論的 TiO_2 中のいくつかの新しい常磁性中心
- 6p-E-2 アルミニウムをドープしたルチル(TiO_2)のESR
- 7a-E-4 ルチル(TiO_2)中の格子間チタンイオンの位置とエネルギー
- 2a-TA-2 ルチル(TiO_2)中の格子間チタンイオンの形成エネルギーの計算
- 7p-E-2 Co-57を含むシリコンの中性子 : 50MeV電子線損傷
- 10p-U-7 電子線照射したGaPの焼鈍ステージ
- 電子線照射したn型GeのESR : 格子欠陥
- 8p-P-8 加工した銅のanomalous after effect
- 8p-P-7 低温加工した銀の内部摩擦
- 20C-13 W,Moの内部摩擦
- 1p-M-5 低速陽電子法によるNiに注入したHeの深さ分布測定
- 加工および焼鈍した純鉄の転位グループ : 格子欠陥
- 11a-U-3 Si中のV族不純物と空格子点の結合エネルギー
- 12p-Q-9 β-Bn中のCo原子のメスバウアー効果
- InSbの熱処理 : 格子欠陥
- γ線を照射したSiの磁気抵抗効果 : 格子欠陥
- 3p-M-7 格子欠陥のあるSiの磁気抵抗
- 5p-P-2 鉄の応力緩和
- 還元ルチルのEPRのA-Cスペクトル : 磁気共鳴
- 6a-P-6 還元ルチルの格子欠陥のESR
- 鉄の塑性変形に及ぼす固溶炭素原子の影響 : 格子欠陥・結晶塑性
- 加工した稀薄銅合金の内部摩擦 : 格子欠陥
- 転位と点欠陥の相互作用による内部摩擦 II : 結晶塑性
- 転位と点欠陥の相互作用による内部摩擦 I : 結晶塑性
- 加工した銅の150゜K内部摩擦ピーク (P_1) : 格子欠陥
- 7a-B-10 加工した銅の内部摩擦
- 7p-B-5 アルカリ・ハライドの超音波吸収 II
- Siの転位 : XX. 半導体
- 6a-A3-4 深さの関数としての陽電子消滅測定(II) : 金属中の注入希ガス原子
- 27A-Z-8 単色低速陽電子線を用いた金属中のHeイオン注入プロファイルの測定
- 30p-RC-6 低速陽電子による金属中の注入Heの集合、再放出過程の測定
- 2a-RJ-8 低速陽電子による表面損傷の研究
- 8p-P-4 焼入れと加工のなされた金の電氣抵抗の回復
- 9p-P-5 シリコンのγ線損傷とその回復
- 10a-Q-11 P型Geの液体窒素温度電子線照射 II
- 22a-L-7 表面結晶成長の回位機構-II
- 13a-R-1 ひげ結晶序論
- 3p-C-1 チャネリング効果序説(Introductory Talk)
- 2a-U-11 転位の熱離脱による内部摩擦の計算(II)
- 6p-P-1 TiNiの相変態の転位機構
- 29p-LG-1 プロトンあるいはアルファ粒子照射されたCu_3Auの低温での回復(格子欠陥)
- 28B-15 KClの格子欠陥による内部摩擦(格子欠陥)
- 28A-1 Zrの電氣抵抗(結晶塑性)
- 28a-LG-11 低速陽電子による金属中の注入Heの集合,再放出過程でのHeプロファイルの変化の測定(格子欠陥)
- 30A-1 酸化ウランの電気的性質(半導体)
- 28A-2 Zrの内部摩擦(結晶塑性)